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公开(公告)号：CN102867723B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201110184641.3
申请日：2011-07-04
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置的载置台，其用于载置被处理基板，其特征在于，所述载置台至少包括：下部电极，所述下部电极为一电导体元件并至少包括第一部件以及第二部件，所述第一部件连接一射频电源，所述第二部件设置在所述第一部件的上方，所述第一部件和第二部件之间进一步设置有绝缘体层，使所述第一部件和第二部件不相互接触；基板固定装置，其设置于所述第二部件的上方，用于载置被处理基板。还提供一种等离子体处理装置，其包括上述等离子体处理装置用的载置台。本发明优选地使得下部电极变化为一块电容，从而使得等离子体在通过该下部电极后十分均匀地流向被处理基板，明显改善被处理基板的特性。
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公开(公告)号：CN102867723A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110184641.3
申请日：2011-07-04
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置的载置台，其用于载置被处理基板，其特征在于，所述载置台至少包括：下部电极，所述下部电极为一电导体元件并至少包括第一部件以及第二部件，所述第一部件连接一射频电源，所述第二部件设置在所述第一部件的上方，所述第一部件和第二部件之间进一步设置有绝缘体层，使所述第一部件和第二部件不相互接触；基板固定装置，其设置于所述第二部件的上方，用于载置被处理基板。还提供一种等离子体处理装置，其包括上述等离子体处理装置用的载置台。本发明优选地使得下部电极变化为一块电容，从而使得等离子体在通过该下部电极后十分均匀地流向被处理基板，明显改善被处理基板的特性。
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公开(公告)号：CN102789949A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210022296.8
申请日：2012-02-01
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/20
摘要： 本发明公开了一种等离子反应器，包括一个反应腔，反应腔内有一个安装基台，安装基台内包括一个电极与第一射频发生器相连接，所述电极上方固定有一个静电吸盘以放置待处理基片，所述静电吸盘包含：埋入电极，所述的埋入电极设置在静电吸盘的边缘并通过电线与外部的第二射频发生器相连，该电线从静电吸盘下方的电极中穿过。本发明能够补偿静电吸盘边缘的蚀刻/沉积率，从而保证静电吸盘的有效性。
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公开(公告)号：CN103578904B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210249772.X
申请日：2012-07-18
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法，所述等离子处理装置至少包括两个腔室，每个腔室在较低位置处设有一个阴极，在所述阴极上连接有射频功率源，基片放置于腔室上进行制程，其中，所述方法包括如下步骤：(a)，通入第一制程气体至多个腔室，同时施加第一频率于多个腔室，以激发等离子体分别对基片执行第一制程；(c)，施加第二频率于先完成制程的腔室，以维持等离子体于刚好不熄灭状态；（e），通入第二制程气体至多个腔室，同时施加第三频率于多个腔室，以激发等离子体分别对基片执行第二制程。本发明能够显著改善等离子处理腔室的颗粒污染，并且提高了制程的稳定性和效率。
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公开(公告)号：CN103227088B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210021957.5
申请日：2012-01-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于承载基片的载片台以及包括该载片台的等离子体处理装置，其中，所述基片位于所述载片台上方。所述载片台包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：第一电介质层，其中设置有一个或多个真空空洞；第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极。本发明能够改善边缘效应，提高制程均一性。
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公开(公告)号：CN103227083B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210021956.0
申请日：2012-01-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/20 , H01J37/305
摘要： 本发明提供了一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于所述载片台上方，其中，所述载片台包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：第一电介质层，其中设置有一个或多个真空空洞；第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极；第三介电质层，其植入所述第一电介质层中，其中，所述第三介电质层和所述第一介电质层的介电常数不同。本发明还提供了一种包括上述载片台的等离子体处理装置。本发明能够改善边缘效应，提高制程均一性。
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公开(公告)号：CN103871956A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210528536.1
申请日：2012-12-10
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/3065 , H01L21/3081
摘要： 本发明提供了一种深孔硅刻蚀方法，其在等离子体刻蚀腔室中进行，其中，包括如下步骤：步骤(a)，提供一硅衬底，供应第一气体至所述腔室，并在所述硅衬底上沉积图形化的光刻胶层，形成开口；步骤(b)，在所述开口的底部和侧壁以及光刻胶层上沉积氧化层；步骤(c)，供应第二气体至所述腔室，以所述氧化层和所述光刻胶层为掩膜继续刻蚀所述硅衬底至预定深度。本发明能够改善硅通孔的侧壁图形，并且改善侧壁凹陷的缺陷。
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公开(公告)号：CN103227085A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210021954.1
申请日：2012-01-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/20 , H01L21/683
摘要： 本发明提供了一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：第一电介质层，其埋设有用于产生静电吸力的电极；第二电介质层，其位于所述第一电介质层的下方，所述第二电介质层至少包括对应于基片中央区域的第一区域，对应于基片边缘区域的第三区域，以及位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域；驱动装置，其用于可选地驱动所述第一区域、第二区域和第三区域的其中之一进行垂直方向上的伸缩。本发明还提供了一种包括所述载片台的等离子体处理装置。本发明能够改善边缘效应，实现制程均一性。
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