发明授权
- 专利标题： 半导体器件制造方法
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申请号： CN201210283268.1申请日： 2012-08-09
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公开(公告)号： CN103578920B公开(公告)日： 2017-05-10
- 发明人: 秦长亮 , 殷华湘
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3#
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3#
- 代理机构： 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所
- 代理商 陈红
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
半导体器件制造方法。本发明改善侧墙掩模的半导体制造方法。在本发明中，形成了阻挡层和牺牲层，通过采用CMP工艺，将侧墙上部左右两侧差异较大的部分磨掉，留下侧墙底部近似矩形的部分，并以其为掩膜进行随后的侧墙掩模技术，这样可以尽可能的降低因侧墙形貌不对称而对后续刻蚀造成的不良后果。
公开/授权文献
- CN103578920A 半导体器件制造方法 公开/授权日：2014-02-12
IPC分类:
