两种腐蚀深度的一次成形方法

发明公开

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专利标题： 两种腐蚀深度的一次成形方法
专利标题（英）： Once forming method of two corrosion depths
申请号： CN201210269511.4

申请日： 2012-07-31
公开(公告)号： CN103578965A

公开(公告)日： 2014-02-12
发明人: 张新伟 , 夏长奉 , 李祥 , 苏巍
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
申请人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
专利权人： 无锡华润上华半导体有限公司
当前专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
当前专利权人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代理商 高为; 李家麟
主分类号： H01L21/306
IPC分类号： H01L21/306

摘要：

本发明公开了一种两种腐蚀深度的一次成形方法，包括采用具有横向腐蚀特性的腐蚀材料从多于一个入口处对腐蚀对象进行腐蚀。通过使用本发明，可以实现工艺流程的简化，提高效率，降低产生成本，还可能可以缩短生产时间。

摘要（英）：

The invention discloses a once forming method of two corrosion depths. The once forming method comprises the step of adopting corrosion materials with a transverse corrosion characteristic to corrode a corrosion object from more than one entrance. Through the method, the process procedure can be simplified, efficiency can be improved, production cost can be lowered, and production time can be shortened.

公开/授权文献

CN103578965B 两种腐蚀深度的一次成形方法公开/授权日：2016-08-03

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）