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公开(公告)号：CN103165579A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110413966.4
申请日：2011-12-13
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L23/544 , G01B11/22
CPC classification number: H01L22/30 , H01L21/30608 , H01L21/3083 , H01L22/12
Abstract: 本发明公开了一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及相关监控方法。该监控结构包括形成在单晶硅材料上的至少两个顶面为矩形的湿法腐蚀凹槽；且至少有两个湿法腐蚀凹槽的顶面宽度分别为Wu和Wl，Wu＝du/0.71，Wl＝dl/0.71，du为所要监控的湿法腐蚀深度最大值，dl为所要监控的湿法腐蚀深度最小值。所述监控方法根据具有监控图形的版图对单晶硅片进行各向异性的湿法腐蚀，形成所需监控的腐蚀槽以及用于监控该腐蚀槽深度的监控结构，然后对所得监控结构进行监视，从而实现对湿法腐蚀深度的监控。本发明可以直观、便捷地监控产品腐蚀槽的腐蚀深度，成本较低，并可达到较高的监控精度。
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公开(公告)号：CN104418295B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310382203.7
申请日：2013-08-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于MEMS的双面微加工方法和MEMS器件。该方法包括：步骤1：在衬底的第一表面上制作用于双面光刻机的第一对位标记，并制作第一图形；步骤2：利用用于双面光刻机的所述第一对位标记在所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面制作用于双面光刻机的第二对位标记；以及步骤3：在所述第二表面上制作第二图形，其中，在步骤1和/或步骤2中还包括相应地在所述第一表面和/或第二表面上还形成用于步进光刻机的第三对位标记和/或第四对位标记，以采用步进式光刻机制作相应的所述第一图形和/或第二图形。根据本发明的用于MEMS的双面微加工方法采用双面光刻机和步进光刻机相结合，提高了双面微加工的特征线宽和套准精度。
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公开(公告)号：CN104671192A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310632884.8
申请日：2013-11-29
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种微机电系统用可动质量块的制造方法，其包括：提供具有正面和反面的单晶硅；在所述单晶硅的正面淀积牺牲层；在所述牺牲层上淀积多晶硅种子层；通过外延工艺在所述多晶硅种子层上生成多晶硅外延层；采用深硅刻蚀工艺自所述多晶硅外延层上表面有选择的刻蚀出贯穿多晶硅外延层和多晶硅种子层的释放孔，以定义出多晶硅质量块；经释放孔腐蚀去除所述多晶硅质量块周边的牺牲层，使所述多晶硅质量块释放成为可动结构。与现有技术相比，本发明中微机电系统用可动质量块的制造方法采用外延多晶硅工艺在单晶硅片上形成多晶硅层，以制得较大的多晶硅质量块，从而增加微机电系统器件的灵敏度，减小噪声干扰。
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公开(公告)号：CN104515640A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310463120.0
申请日：2013-10-08
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G01L9/12
CPC classification number: G01L9/0075
Abstract: 一种电容式MEMS压力传感器，由于将检测薄膜和电容上下电极分开，而不是作为其中之一，器件工作时，外界工作介质与检测薄膜接触，压迫检测薄膜，带动检测电极下极板动作，改变了上下电极极板间间距，产生电容变化，进而由引线引出至外接电容检测电路，由侦测电容的改变量得出上下电极极板间间距的变化，进而换算成工作介质的压力数值。由于上下电极不再受力变形，其有效面积基本恒定，电容值由间距决定，同时检测薄膜和检测电容的面积可分开调节，在设计器件时在规定的器件参数下可以更加灵活的调整器件尺寸，以降低成本。本发明也从器件结构上回避了传统压力传感器中为提高灵敏度而调整薄膜尺寸所引入的非线性以及动态响应范围改变的问题。
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公开(公告)号：CN104515640B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201310463120.0
申请日：2013-10-08
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G01L9/12
CPC classification number: G01L9/0075
Abstract: 一种电容式MEMS压力传感器，由于将检测薄膜和电容上下电极分开，而不是作为其中之一，器件工作时，外界工作介质与检测薄膜接触，压迫检测薄膜，带动检测电极下极板动作，改变了上下电极极板间间距，产生电容变化，进而由引线引出至外接电容检测电路，由侦测电容的改变量得出上下电极极板间间距的变化，进而换算成工作介质的压力数值。由于上下电极不再受力变形，其有效面积基本恒定，电容值由间距决定，同时检测薄膜和检测电容的面积可分开调节，在设计器件时在规定的器件参数下可以更加灵活的调整器件尺寸，以降低成本。本发明也从器件结构上回避了传统压力传感器中为提高灵敏度而调整薄膜尺寸所引入的非线性以及动态响应范围改变的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681233B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210325243.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00531
Abstract: 本发明公开了一种多沟槽结构的制作方法，包括步骤：在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽；在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层，使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部，形成封闭结构；在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀，以形成沟槽阵列，并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通；所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔，所述多个沟槽或通孔的上部各自分离，下部相互连通形成腔体；生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列，以形成封闭的多沟槽结构。该方法通过两次生长外延层，使多沟槽结构在制作过程中保持稳定坚固，避免了制作过程中出现膜层断裂或脱落的现象。
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公开(公告)号：CN103693612A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210368330.7
申请日：2012-09-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158
Abstract: 本发明涉及一种硅膜的制备方法，该方法包括下述步骤：在硅片的正反两面分别淀积钝化层的钝化层形成步骤；在正面钝化层上淀积多晶硅作为外延的种子层的种子层形成步骤；在上述种子层上外延生长多晶硅以形成外延层的外延层形成步骤；以及在背面钝化层上形成腐蚀窗口并且利用腐蚀液对硅片背面通过所述腐蚀窗口开始腐蚀直到停止在上述正面钝化层的腐蚀步骤。利用本发明能够制备片内均匀性一致、可精确控制厚度的硅膜。
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公开(公告)号：CN103681233A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210325243.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00531 , B81C1/00055 , B81C1/00619
Abstract: 本发明公开了一种多沟槽结构的制作方法，包括步骤：在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽；在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层，使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部，形成封闭结构；在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀，以形成沟槽阵列，并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通；所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔，所述多个沟槽或通孔的上部各自分离，下部相互连通形成腔体；生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列，以形成封闭的多沟槽结构。该方法通过两次生长外延层，使多沟槽结构在制作过程中保持稳定坚固，避免了制作过程中出现膜层断裂或脱落的现象。
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公开(公告)号：CN103523738B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210234964.3
申请日：2012-07-06
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B7/0029 , B81C1/0038 , B81C2201/0167 , B81C2201/053
Abstract: 一种微机电系统薄片，包括硅衬底层、第一氧化层及第一薄膜层；所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；所述第一氧化层主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；所述第一薄膜层主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。上述微机电系统薄片中，通过在硅衬底层的背面依次层叠第一氧化层及第一薄膜层，有效保护了背面，防止其在进行微机电工艺过程中划伤。同时还提供了一种微机电系统薄片的制备方法。
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公开(公告)号：CN103728467B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210391609.7
申请日：2012-10-16
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B7/02 , G01P2015/0837 , H01G5/16 , H02N1/08
Abstract: 本发明提供一种平行板电容器。该电容器包括第一极板和与第一极板相对设置的第二极板，其中，该平行板电容器还包括在形成所述第一极板的基底上设置的至少一对敏感单元，所述敏感单元包括敏感元件和将敏感元件连接到所述第一极板的元件连接臂；设置在所述第二极板所在的基底上的锚定支座，其通过悬臂梁连接到所述元件连接臂；其中，每个元件连接臂与相对于其对称的至少两个锚定支座连接。该平板电容器更容易受到外界因素影响，从而更易产生电容的变化。
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