- 专利标题: 直拉单晶炉磁场装置及使用该磁场装置的拉晶方法
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申请号: CN201310368359.X申请日: 2013-08-21
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公开(公告)号: CN103590109B公开(公告)日: 2016-04-27
- 发明人: 李定武 , 周锐 , 李侨 , 邓浩 , 马自成
- 申请人: 银川隆基硅材料有限公司
- 申请人地址: 宁夏银川市(国家级)经济技术开发区开元东路15号
- 专利权人: 银川隆基硅材料有限公司
- 当前专利权人: 银川隆基硅材料有限公司
- 当前专利权人地址: 宁夏银川市(国家级)经济技术开发区开元东路15号
- 代理机构: 西安弘理专利事务所
- 代理商 罗笛
- 主分类号: C30B30/04
- IPC分类号: C30B30/04 ; C30B15/00
摘要:
本发明公开一种直拉单晶炉磁场装置,用于向坩埚中的熔体施加磁场。所述直拉单晶炉磁场装置包括围绕所述坩埚上下设置的第一线圈及第二线圈,第一线圈及第二线圈均与坩埚同轴。所述第一线圈和第二线圈共同形成的磁场具有下凹的分界面。所述分界面上方区域的磁场强度为零。所述分界面具有相对的第一侧边和第二侧边,所述第一侧边和第二侧边均沿所述坩埚的侧壁的延长线向远离所述坩埚的方向延伸。本发明的直拉单晶炉磁场装置造价低,可产生变化的磁场,尤其是在熔体内部具有高磁场强度、在分界面上方磁场强度为零的特定形状的磁场,可有效抑制熔体热对流,利于单晶稳定生长并获得高品质单晶。本发明还提供一种使用该直拉单晶炉磁场装置的拉晶方法。
公开/授权文献
- CN103590109A 直拉单晶炉磁场装置及使用该磁场装置的拉晶方法 公开/授权日:2014-02-19
IPC分类: