-
公开(公告)号：CN118407113A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410743519.2
申请日：2024-06-11
申请人： 广东先导微电子科技有限公司
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种半绝缘砷化镓单晶的生长方法，通过垂直梯度冷凝法制备半绝缘砷化镓单晶，在制备过程中，向石英管内通入CO作为碳源掺杂C元素，取代传统的碳帽作为掺杂物，气体碳源可以使碳元素更均匀分布在液态砷化镓中，同时可以精准控制CO的用量，以确保半绝缘砷化镓的电性能稳定性。此外，本发明还公开了上述生长方法制得的半绝缘砷化镓单晶和半绝缘砷化镓单晶的生长装置。
-
公开(公告)号：CN118360672A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410282971.3
申请日：2024-03-12
申请人： 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
摘要： 本申请公开一种硅单晶的生产方法及其生产装置，属于硅单晶技术领域，包括：将初始原料放入坩埚组件中。通过加热器对坩埚组件进行加热，初始原料熔化形成硅熔体。控制导流筒的至少部分延伸至坩埚组件内，用于调节硅熔体表面的气体流速。通过磁场产生机构对硅熔体施加磁场，并在低于硅熔体液面的位置形成最大高斯面。通过晶体驱动机构从硅熔体提拉形成硅单晶。其中，磁场产生机构产生的磁场强度为B T，最大高斯面与硅熔体的液面之间具有最大尺寸h mm，导流筒沿坩埚组件的轴线方向延伸至坩埚组件内的最大尺寸为H mm，满足：2≤H/(B×h)≤2.572，从而可以有效降低硅单晶内部的氧含量，提高硅单晶质量，实现低氧硅单晶的生产。
-
公开(公告)号：CN118028968A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410142145.9
申请日：2024-02-01
申请人： 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
摘要： 本申请公开了一种激光诱导无光刻沉积单晶硅周期性点阵的方法，属于半导体工艺技术领域，在沉积薄膜时，将激光照射在衬底表面，激光干涉产生点状的光强分布，导致衬底上各位置的热梯度分布呈点阵状，因而点阵处薄膜沉积速率更快，从而诱导沉积单晶硅周期性点阵结构。与传统制备周期性微纳结构的方法相比，本申请具有工艺简单、成本低、快速、无杂质、无需光刻胶等优点。通过本发明制备的周期性结构可以具有发光，滤波，双极性晶体管特性，可广泛用于表面增强拉曼散射、传感器、探测器、光电显示和微纳晶体管制造等领域。
-
公开(公告)号：CN115058767B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202210603691.9
申请日：2022-05-30
申请人： 宁夏中晶半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺方法和装置，该方法包括以下步骤：事先在连杆的底部分别套设上单晶硅片和下单晶硅片，限位凸起对下单晶硅片和上单晶硅片的底部进行支撑，在将钟罩套设在连杆上，上单晶硅片和下单晶硅片对钟罩的底部进行封闭，使锑金属原料能够储存在储存腔的内腔，单晶硅在坩埚内部融化后，根据单晶硅液的量，来对需要添加的锑金属重量进行计算。本发明具备便于加料进行掺杂的优点，解决了目前的锑单晶加掺方法在伞盖上部铺设金属小料来进行加掺，但是籽晶在坩埚内生长为伞盖状耗时较长，生长过程中容易产生埚内结晶现象，伞盖太小无法完全盛放掺杂金属的问题。
-
公开(公告)号：CN116926671A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310872247.1
申请日：2023-07-17
申请人： 天合光能股份有限公司 , 天合光能(青海)晶硅有限公司
摘要： 本公开实施例中提供单晶炉，其包括：位于炉腔(10a)内的坩埚(11)及设置于坩埚(11)外周侧的第一加热装置(12)；磁场生成装置(13)，设置于炉腔(10a)内，位于第一加热装置(12)远离坩埚(11)的一侧，并与炉体(10)安装；围绕磁场生成装置(13)设置的冷却结构(14)。在拉晶过程中，冷却结构(14)对磁场生成装置(13)进行冷却，避免磁场生成装置(13)因距离坩埚(11)较近而产生高温消磁的问题，从而能够抑制拉晶过程的熔体内强对流。因此，本实施例将磁场生成装置(13)内置于单晶炉内具有较强可行性，从而能够做到减小拉晶设备尺寸。
-
公开(公告)号：CN116759188A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202311020677.7
申请日：2023-08-15
申请人： 苏州八匹马超导科技有限公司
摘要： 本申请实施例涉及一种超导磁体，涉及磁体技术领域。超导磁体包括：超导线圈和低温容器；低温容器用于提供使超导线圈处于超导状态的超低温真空环境；低温容器的形状为环形；低温容器设有让位部，用于提供连通环形的内部和外部的通道；环形的内部具有用于容纳单晶半导体材料生长炉的空间；通道用于容纳单晶半导体材料生长炉旁的辅助装置。本申请实施例解决了在单晶半导体材料生长炉上加装超导磁体时会产生干涉的问题，降低了改装成本。
-
公开(公告)号：CN115652412B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211661032.7
申请日：2022-12-23
申请人： 新美光(苏州)半导体科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及一种拉制单晶硅棒前的除杂工艺。拉制单晶硅棒前的除杂工艺包括如下步骤：步骤一、将硅料放入坩埚内，加热使硅料熔融，得到硅熔体；步骤二、调整坩埚内的热场温度至引颈温度，待硅熔体的液面稳定之后依次进行引晶步骤和放肩步骤，之后将肩部与硅熔体的液面分离；步骤三、调整坩埚内的热场和/或调整坩埚的转速，使硅熔体内部的杂质富集于液面位置；步骤四、将肩部放入硅熔体中，使肩部的部分位于液面以下，静置使杂质富集于肩部上，之后将富集杂质的肩部与液面分离；以及步骤五、提出富集杂质的肩部。上述拉制单晶硅棒前的除杂工艺的工艺简单，通过调整坩埚内的热场和/或调整坩埚的转速，能够让杂质向硅熔体表面富集，易于除去杂质。
-
公开(公告)号：CN116130200A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310069328.8
申请日：2023-02-06
申请人： 毕奥唐图(北京)装备技术开发有限公司
摘要： 本发明公开一种磁控线圈，包括：线圈支撑体和N对线圈组，线圈组沿线圈支撑体的表面平铺排布；N为不小于1的整数。本发明采用多层表面型线圈取代传统的矩形截面圆形、跑道形或马鞍形线圈，可以提升横向磁场的产生效率，从而能够有效抑制晶体制造过程中的杂质引入和缺陷的产生，提高晶体制造的效率和质量。
-
公开(公告)号：CN116072374A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211447379.1
申请日：2022-11-18
申请人： 杭州慧翔电液技术开发有限公司
摘要： 本发明公开一种单晶硅生产设备、超导磁体及其磁场调节方法，超导磁体包括超导磁组和电源，超导磁组至少有两个并包括第一线圈和第二线圈，至少两个超导磁组中的至少两个第一线圈沿第一线圈的轴向间隔排列，至少两个第一线圈均位于第一平面的上方，至少两个超导磁组中的第二线圈均与相应第一线圈相对第一平面对称布置，电源与超导磁组一一对应，超导磁组中的第一线圈和第二线圈串联在相应电源的供电回路上。本发明提供的超导磁体具有对硅熔体的对流抑制效果更好，拉制成型的单晶棒的含氧量低的优点。
-
公开(公告)号：CN115821384A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211420346.8
申请日：2022-11-15
申请人： 浙江昱力机电科技有限公司
摘要： 本发明公开了单晶炉及单晶硅的制备方法，单晶炉，包括单晶炉磁场装置、顶推控制杆，所述单晶炉磁场装置通过顶推控制杆进行升降控制，且单晶炉磁场装置通过设置的微调辅助机构进行位置微调；本发明设计单晶炉及相应的单晶硅制备方法，对于单晶炉磁场装置通过设置的承载环、微调辅助机构和锁定机构之间的配合使用，对于单晶炉磁场装置能够进行微调工作，进行微调修正，避免造成位置调控产生偏差，给单晶炉的使用提供便捷，提升单晶硅加工的工作质量，能够满足实际使用需求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
314 条记录 (耗时 0.022 秒)