-
公开(公告)号：CN103590109A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310368359.X
申请日：2013-08-21
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开一种直拉单晶炉磁场装置，用于向坩埚中的熔体施加磁场。所述直拉单晶炉磁场装置包括围绕所述坩埚上下设置的第一线圈及第二线圈，第一线圈及第二线圈均与坩埚同轴。所述第一线圈和第二线圈共同形成的磁场具有下凹的分界面。所述分界面上方区域的磁场强度为零。所述分界面具有相对的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边和第二侧边均沿所述坩埚的侧壁的延长线向远离所述坩埚的方向延伸。本发明的直拉单晶炉磁场装置造价低，可产生变化的磁场，尤其是在熔体内部具有高磁场强度、在分界面上方磁场强度为零的特定形状的磁场，可有效抑制熔体热对流，利于单晶稳定生长并获得高品质单晶。本发明还提供一种使用该直拉单晶炉磁场装置的拉晶方法。
-
公开(公告)号：CN111006824A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911309443.8
申请日：2019-12-18
申请人： 银川隆基硅材料有限公司
摘要： 本公开提供一种单晶炉漏硅检测方法、设备及存储介质，涉及太阳能光伏领域，能够及时检测单晶炉是否漏硅，提高单晶炉的安全性，降低事故风险。具体技术方案为：获取同一时刻单晶炉坩埚内硅液液面的理论高度值和实际高度值；计算硅液液面的理论高度值和实际高度值的差值；在差值大于预设阈值时，确定单晶炉发生漏硅。本发明用于漏硅检测。
-
公开(公告)号：CN103590109B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310368359.X
申请日：2013-08-21
申请人： 银川隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开一种直拉单晶炉磁场装置，用于向坩埚中的熔体施加磁场。所述直拉单晶炉磁场装置包括围绕所述坩埚上下设置的第一线圈及第二线圈，第一线圈及第二线圈均与坩埚同轴。所述第一线圈和第二线圈共同形成的磁场具有下凹的分界面。所述分界面上方区域的磁场强度为零。所述分界面具有相对的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边和第二侧边均沿所述坩埚的侧壁的延长线向远离所述坩埚的方向延伸。本发明的直拉单晶炉磁场装置造价低，可产生变化的磁场，尤其是在熔体内部具有高磁场强度、在分界面上方磁场强度为零的特定形状的磁场，可有效抑制熔体热对流，利于单晶稳定生长并获得高品质单晶。本发明还提供一种使用该直拉单晶炉磁场装置的拉晶方法。
-
公开(公告)号：CN111006824B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN201911309443.8
申请日：2019-12-18
申请人： 银川隆基硅材料有限公司
摘要： 本公开提供一种单晶炉漏硅检测方法、设备及存储介质，涉及太阳能光伏领域，能够及时检测单晶炉是否漏硅，提高单晶炉的安全性，降低事故风险。具体技术方案为：获取同一时刻单晶炉坩埚内硅液液面的理论高度值和实际高度值；计算硅液液面的理论高度值和实际高度值的差值；在差值大于预设阈值时，确定单晶炉发生漏硅。本发明用于漏硅检测。
-
公开(公告)号：CN105696085A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410682106.4
申请日：2014-11-24
申请人： 银川隆基硅材料有限公司
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本发明公开的磁场装置，用于在单晶炉中产生磁场，磁场装置套设于单晶炉外，磁场装置包括磁体和内导磁板，内导磁板位于单晶炉和磁体之间，且与单晶炉的外炉筒壁相接触；本发明公开的具有该磁场装置的单晶生长设备包括上述磁场装置以及套设于磁场装置内部的单晶炉。本发明的磁场装置及具有该磁场装置的单晶生长设备中的磁场装置不仅结构简单、占用空间少，还尽可能缩短了磁场装置与单晶炉的间距，避免了磁场强度的损失，可向单晶炉提供强度最理想的磁场；而具有该磁场装置的单晶生长设备由于磁场装置的作用，其能够有效地抑制单晶炉中的熔体对流，并降低固液界面温度波动，从而降低晶体中的氧含量并减少光致衰减现象，减少黑心低效片的产生几率。
-
公开(公告)号：CN202945365U
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201220568343.4
申请日：2012-10-31
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
IPC分类号： C30B15/14
摘要： 一种直拉单晶炉加热器用石墨电极，包括相互连接的上凸台和主体部，还设有安装孔，安装孔贯穿上凸台的顶面和主体部的底面且通过导电螺栓以电连接加热器和外部电极；主体部包括依次相连接的上表面、外缘面和底面，上表面靠近加热器，底面与上表面相对，底面靠近外部电极，主体部设有自外缘面向中心轴方向开设的凹口结构。本实用新型可减少从石墨电极导向外部电极的热量，减少加热器的热损耗，降低了生产成本。
-
公开(公告)号：CN203653742U
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201320594229.3
申请日：2013-09-25
申请人： 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
IPC分类号： C30B15/00
摘要： 本实用新型公开了一种埚帮，包括相互配合的埚碗和埚筒。所述埚筒由筒侧壁首尾相连围合而成。本实用新型的埚帮可方便地取出石英坩埚，使用寿命长。
-
公开(公告)号：CN203007469U
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201220614909.2
申请日：2012-11-19
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
摘要： 一种直拉单晶炉热场装置，包括炉体及设置于炉体内部的坩埚、加热器及保温机构，加热器及保温机构依次环绕坩埚设置，还包括与炉体外部相连通的排气机构，排气机构嵌设于保温机构内。本实用新型直拉单晶炉热场装置在保温机构内嵌设排气机构，避免了挥发物聚集，降低了晶体中氧含量，可减少碳扩散入晶体中；减少了挥发物对热场部件的侵蚀，延长了热场部件的使用寿命，避免了挥发物因受冷沉积于排出路径，有利于排出挥发物并减轻清洗难度。
-
公开(公告)号：CN203295656U
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201320225335.4
申请日：2013-04-28
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
IPC分类号： C30B15/14
摘要： 直拉单晶用加热器，包括多个螺旋线圈，沿垂直方向依次排列；每个螺旋线圈上设有连接柱，螺旋线圈通过连接柱接入电流回路。螺旋线圈分为上下两组，两组螺旋线圈通以方向相反的直流电流，同一组螺旋线圈的电流方向相同。本实用新型每个螺旋线圈独自通过两个以螺旋线圈的垂直投影圆心为对称点的连接柱接入电流回路，两组螺旋线圈通以方向相反的直流电流，加热器在提供热能的同时，可叠加形成勾形磁场，即可达到勾形磁场拉晶的效果。既避免了引入外置磁场而导致的晶体生长成本提高，又提高了生长晶体的品质。
-
公开(公告)号：CN203007474U
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201220614615.X
申请日：2012-11-19
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
IPC分类号： C30B15/10
摘要： 本实用新型公开了一种埚帮及包括该埚帮的坩埚组合体。所述埚帮包括相配合的埚筒和埚碗，埚筒和埚碗共同构成一个收容空间；埚筒具有与埚碗接触的第一配合面，埚碗具有用于承载第一配合面的第二配合面；埚碗具有自第二配合面延伸的凸起结构，凸起结构位于收容空间内。包括该埚帮的坩埚组合体还包括位于收容空间中的内坩埚，内坩埚包括侧壁、底壁及连接于侧壁与底壁间的连接面，凸起结构位于连接面与第一配合面之间。本实用新型埚帮具有凸起结构，使得埚筒与埚碗接触处并不直接受力，可减少该处的损伤，延长埚帮及具有该埚帮的坩埚组合体的使用寿命，从而降低生产成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
12 条记录 (耗时 0.033 秒)
