本发明公开了一种晶体位错腐蚀检测方法，属于缺陷腐蚀检测技术领域，主要技术方案包括以下步骤：将样品待测面处理到预定的表面光洁度；对样品的观测点进行确定并标识；对样品除观测点以外的表面进行涂覆；将涂覆好的样品进行抛光；将抛光好的样品进行清洗；对样品除观测点以外的表面补充涂覆；将涂覆好的样品进行腐蚀；将腐蚀好的样品进行清洗；对样品观测点进行位错测量，并计算出样品的位错密度。采用本方法对晶体进行位错检测，实现了位错测试中温度的有效控制，腐蚀效果好，同时腐蚀液使用量和晶体的腐蚀量大大降低。