在硫系玻璃表面加工微纳结构改善红外波段透过率的方法

    公开(公告)号:CN111175857B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201811331178.9

    申请日:2018-11-09

    Abstract: 本发明涉及一种在硫系玻璃表面加工微纳结构改善红外波段透过率的方法,属于红外光学玻璃加工及应用技术领域。该方法直接在硫系玻璃表面上制备折射率合适的微纳结构,避免引入新的膜材料,解决了传统镀制红外增透膜存在的多层膜膜材受限及膜层质量问题;该方法中采用的反应离子刻蚀主要是基于气体和硫系玻璃的化学反应,对聚合物涂层覆盖的部分不产生任何效应,避免了应力的产生,且是在常温以及真空状态下进行的,不会产生有毒成分的气化和泄露;该方法还可以实现非平面表面的微纳结构图案压印,拓展了大面积微纳加工的光学元件范畴,并且通过目标图形结构以及工艺参数的改变,可以实现硫系玻璃在红外各波段的高效增透。

    在硫系玻璃表面加工微纳结构改善红外波段透过率的方法

    公开(公告)号:CN111175857A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201811331178.9

    申请日:2018-11-09

    Abstract: 本发明涉及一种在硫系玻璃表面加工微纳结构改善红外波段透过率的方法,属于红外光学玻璃加工及应用技术领域。该方法直接在硫系玻璃表面上制备折射率合适的微纳结构,避免引入新的膜材料,解决了传统镀制红外增透膜存在的多层膜膜材受限及膜层质量问题;该方法中采用的反应离子刻蚀主要是基于气体和硫系玻璃的化学反应,对聚合物涂层覆盖的部分不产生任何效应,避免了应力的产生,且是在常温以及真空状态下进行的,不会产生有毒成分的气化和泄露;该方法还可以实现非平面表面的微纳结构图案压印,拓展了大面积微纳加工的光学元件范畴,并且通过目标图形结构以及工艺参数的改变,可以实现硫系玻璃在红外各波段的高效增透。

    一种晶体位错腐蚀检测方法

    公开(公告)号:CN103698339A

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201310737527.8

    申请日:2013-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种晶体位错腐蚀检测方法,属于缺陷腐蚀检测技术领域,主要技术方案包括以下步骤:将样品待测面处理到预定的表面光洁度;对样品的观测点进行确定并标识;对样品除观测点以外的表面进行涂覆;将涂覆好的样品进行抛光;将抛光好的样品进行清洗;对样品除观测点以外的表面补充涂覆;将涂覆好的样品进行腐蚀;将腐蚀好的样品进行清洗;对样品观测点进行位错测量,并计算出样品的位错密度。采用本方法对晶体进行位错检测,实现了位错测试中温度的有效控制,腐蚀效果好,同时腐蚀液使用量和晶体的腐蚀量大大降低。

    直拉锗单晶直径测量控制系统

    公开(公告)号:CN102912429B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201210407255.0

    申请日:2012-10-23

    Abstract: 直拉锗单晶直径测量控制系统,其特征在于:系统中有摄像机,图像处理装置和自动控制单元,摄像机采集锗单晶等径生长的图像,图像处理装置识别固液交接面光圈位置和计算固液交接面光圈的曲率半径,使自动控制单元实现锗单晶的等径生长。本发明的有益效果是:图像处理卡只对采集图像的光圈部分进行分析,减少数据传输量,降低系统对硬件的性能要求;无需椭圆到圆的复杂映射,只需采集指定点的曲率半径即可根据曲率半径的变化规律进行等径控制;摄像头可将采集的锗单晶生长图像集中传输到一起进行图像处理和分析,便于生产人员实时监控多台设备,降低锗单晶生长的劳动强度;能够最大限度利用现有的设备装置,避免电气控制系统的重复设计与投资。

    一种晶体位错腐蚀检测方法

    公开(公告)号:CN103698339B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201310737527.8

    申请日:2013-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种晶体位错腐蚀检测方法,属于缺陷腐蚀检测技术领域,主要技术方案包括以下步骤:将样品待测面处理到预定的表面光洁度;对样品的观测点进行确定并标识;对样品除观测点以外的表面进行涂覆;将涂覆好的样品进行抛光;将抛光好的样品进行清洗;对样品除观测点以外的表面补充涂覆;将涂覆好的样品进行腐蚀;将腐蚀好的样品进行清洗;对样品观测点进行位错测量,并计算出样品的位错密度。采用本方法对晶体进行位错检测,实现了位错测试中温度的有效控制,腐蚀效果好,同时腐蚀液使用量和晶体的腐蚀量大大降低。

    直拉锗单晶直径测量控制系统

    公开(公告)号:CN102912429A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201210407255.0

    申请日:2012-10-23

    Abstract: 直拉锗单晶直径测量控制系统,其特征在于:系统中有摄像机,图像处理装置和自动控制单元,摄像机采集锗单晶等径生长的图像,图像处理装置识别固液交接面光圈位置和计算固液交接面光圈的曲率半径,使自动控制单元实现锗单晶的等径生长。本发明的有益效果是:图像处理卡只对采集图像的光圈部分进行分析,减少数据传输量,降低系统对硬件的性能要求;无需椭圆到圆的复杂映射,只需采集指定点的曲率半径即可根据曲率半径的变化规律进行等径控制;摄像头可将采集的锗单晶生长图像集中传输到一起进行图像处理和分析,便于生产人员实时监控多台设备,降低锗单晶生长的劳动强度;能够最大限度利用现有的设备装置,避免电气控制系统的重复设计与投资。

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