一种高精度低形变的锗窗抛光上盘装置及上盘方法

    公开(公告)号:CN111318951A

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN202010255380.9

    申请日:2020-04-02

    Abstract: 本发明公开了一种高精度低形变的锗窗抛光上盘装置及上盘方法,涉及光学元件加工的技术领域,为解决现有技术中,锗窗抛光上盘方法存在的不能满足高精度锗窗的加工需要的技术问题,本发明的技术方案如下:包括粘接模、粘接剂、定位环及定位座;所述粘接剂为圆环结构,粘接于所述粘接模的一端面;所述定位环的周边具有翻边,中部开设有与粘接模形状相应的中心孔;所述定位座的表面设置限位环,所述限位环的形状与定位环的翻边形状相应,且与中心孔同轴;待抛光锗窗置于所述限位环内,所述定位环扣接于限位环的外部,所述粘接模具有粘接剂的一端依次穿过中心孔及限位环,通过所述粘接剂与锗窗固定。

    薄壁铝合金反射镜的自适应固定装置及加工方法

    公开(公告)号:CN109530722B

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201811607859.3

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 本发明提供薄壁铝合金反射镜的自适应固定装置及加工方法,自适应固定装置包括基座和支撑座,基座一侧连接支撑座,基座开设贯穿基座的安装孔,安装孔用于安装反射镜的安装轴,安装孔的底端位置高于支撑座的上端面,基座在和支撑座连接侧的对应侧设置安装轴的固定组件,支撑座上方区域为镜面放置区域,安装孔底端到支撑座的上端面之间的距离大于反射镜的镜面厚度,支撑座上设置与接触镜面点接触的支撑组件,支撑组件与接触镜面接触一端的形状区域与接触镜面形状对应,实现对接触镜面的均匀支撑,解决现有在薄壁铝合金反射镜的加工过程中,采用夹具固定薄壁铝合金反射镜,导致反射镜因装夹产生变形,最终使得反射镜的加工合格率低的问题。

    薄壁铝合金反射镜的自适应固定装置及加工方法

    公开(公告)号:CN109530722A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811607859.3

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 本发明提供薄壁铝合金反射镜的自适应固定装置及加工方法,自适应固定装置包括基座和支撑座,基座一侧连接支撑座,基座开设贯穿基座的安装孔,安装孔用于安装反射镜的安装轴,安装孔的底端位置高于支撑座的上端面,基座在和支撑座连接侧的对应侧设置安装轴的固定组件,支撑座上方区域为镜面放置区域,安装孔底端到支撑座的上端面之间的距离大于反射镜的镜面厚度,支撑座上设置与接触镜面点接触的支撑组件,支撑组件与接触镜面接触一端的形状区域与接触镜面形状对应,实现对接触镜面的均匀支撑,解决现有在薄壁铝合金反射镜的加工过程中,采用夹具固定薄壁铝合金反射镜,导致反射镜因装夹产生变形,最终使得反射镜的加工合格率低的问题。

    一种晶体位错腐蚀检测方法

    公开(公告)号:CN103698339A

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201310737527.8

    申请日:2013-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种晶体位错腐蚀检测方法,属于缺陷腐蚀检测技术领域,主要技术方案包括以下步骤:将样品待测面处理到预定的表面光洁度;对样品的观测点进行确定并标识;对样品除观测点以外的表面进行涂覆;将涂覆好的样品进行抛光;将抛光好的样品进行清洗;对样品除观测点以外的表面补充涂覆;将涂覆好的样品进行腐蚀;将腐蚀好的样品进行清洗;对样品观测点进行位错测量,并计算出样品的位错密度。采用本方法对晶体进行位错检测,实现了位错测试中温度的有效控制,腐蚀效果好,同时腐蚀液使用量和晶体的腐蚀量大大降低。

    直接测量晶向偏离角的晶体定向仪及测量方法

    公开(公告)号:CN103257150A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201210317112.0

    申请日:2012-08-31

    Abstract: 一种直接测量晶向偏离角的晶体定向仪,其特征在于在载物台一侧连接一个X射线发生器,另一侧连接一个X射线探测器,在载物台上有一个水平旋转台,水平旋转台可使待测晶体平行于光线传播面旋转,在水平旋转台的中心固定有一个垂直旋转台,垂直旋转台可以使待测晶体在垂直于光线传播面的平面内旋转,利用该晶体定向仪,能直接找到加工面和晶面的相交线,无需通过数据计算就能通过载物台的角度测量仪直接读取晶向偏离角β。本发明克服了现有X射线晶体定向仪操作方法复杂,测量过程需多次旋转、拆卸及固定被测晶体,测量效率低,容易引起累计误差和X射线泄露的缺陷。

    直接测量晶向偏离角的测量方法

    公开(公告)号:CN103257150B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201210317112.0

    申请日:2012-08-31

    Abstract: 一种直接测量晶向偏离角的晶体定向仪,其特征在于在载物台一侧连接一个X射线发生器,另一侧连接一个X射线探测器,在载物台上有一个水平旋转台,水平旋转台可使待测晶体平行于光线传播面旋转,在水平旋转台的中心固定有一个垂直旋转台,垂直旋转台可以使待测晶体在垂直于光线传播面的平面内旋转,利用该晶体定向仪,能直接找到加工面和晶面的相交线,无需通过数据计算就能通过载物台的角度测量仪直接读取晶向偏离角β。本发明克服了现有X射线晶体定向仪操作方法复杂,测量过程需多次旋转、拆卸及固定被测晶体,测量效率低,容易引起累计误差和X射线泄露的缺陷。

    直拉锗单晶直径测量控制系统

    公开(公告)号:CN102912429B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201210407255.0

    申请日:2012-10-23

    Abstract: 直拉锗单晶直径测量控制系统,其特征在于:系统中有摄像机,图像处理装置和自动控制单元,摄像机采集锗单晶等径生长的图像,图像处理装置识别固液交接面光圈位置和计算固液交接面光圈的曲率半径,使自动控制单元实现锗单晶的等径生长。本发明的有益效果是:图像处理卡只对采集图像的光圈部分进行分析,减少数据传输量,降低系统对硬件的性能要求;无需椭圆到圆的复杂映射,只需采集指定点的曲率半径即可根据曲率半径的变化规律进行等径控制;摄像头可将采集的锗单晶生长图像集中传输到一起进行图像处理和分析,便于生产人员实时监控多台设备,降低锗单晶生长的劳动强度;能够最大限度利用现有的设备装置,避免电气控制系统的重复设计与投资。

    一种晶体位错腐蚀检测方法

    公开(公告)号:CN103698339B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201310737527.8

    申请日:2013-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种晶体位错腐蚀检测方法,属于缺陷腐蚀检测技术领域,主要技术方案包括以下步骤:将样品待测面处理到预定的表面光洁度;对样品的观测点进行确定并标识;对样品除观测点以外的表面进行涂覆;将涂覆好的样品进行抛光;将抛光好的样品进行清洗;对样品除观测点以外的表面补充涂覆;将涂覆好的样品进行腐蚀;将腐蚀好的样品进行清洗;对样品观测点进行位错测量,并计算出样品的位错密度。采用本方法对晶体进行位错检测,实现了位错测试中温度的有效控制,腐蚀效果好,同时腐蚀液使用量和晶体的腐蚀量大大降低。

    直拉锗单晶直径测量控制系统

    公开(公告)号:CN102912429A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201210407255.0

    申请日:2012-10-23

    Abstract: 直拉锗单晶直径测量控制系统,其特征在于:系统中有摄像机,图像处理装置和自动控制单元,摄像机采集锗单晶等径生长的图像,图像处理装置识别固液交接面光圈位置和计算固液交接面光圈的曲率半径,使自动控制单元实现锗单晶的等径生长。本发明的有益效果是:图像处理卡只对采集图像的光圈部分进行分析,减少数据传输量,降低系统对硬件的性能要求;无需椭圆到圆的复杂映射,只需采集指定点的曲率半径即可根据曲率半径的变化规律进行等径控制;摄像头可将采集的锗单晶生长图像集中传输到一起进行图像处理和分析,便于生产人员实时监控多台设备,降低锗单晶生长的劳动强度;能够最大限度利用现有的设备装置,避免电气控制系统的重复设计与投资。

    一种高精度低形变的锗窗抛光上盘装置

    公开(公告)号:CN212497128U

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202020468469.9

    申请日:2020-04-02

    Abstract: 本实用新型公开了一种高精度低形变的锗窗抛光上盘装置,涉及光学元件加工的技术领域,为解决现有技术中,锗窗抛光上盘方法存在的不能满足高精度锗窗的加工需要的技术问题,本实用新型的技术方案如下:包括粘接模、粘接剂、定位环及定位座;所述粘接剂为圆环结构,粘接于所述粘接模的一端面;所述定位环的周边具有翻边,中部开设有与粘接模形状相应的中心孔;所述定位座的表面设置限位环,所述限位环的形状与定位环的翻边形状相应,且与中心孔同轴;待抛光锗窗置于所述限位环内,所述定位环扣接于限位环的外部,所述粘接模具有粘接剂的一端依次穿过中心孔及限位环,通过所述粘接剂与锗窗固定。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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