本发明公开了一种基于复合漏极的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法，器件的结构从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征GaN沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上设置有：源极、栅极和复合漏极，栅极与AlGaN势垒层之间设置有绝缘介质层；在栅极与复合漏极之间的AlGaN势垒层上方依次外延有线性AlGaN层、P型GaN外延层、基极。本发明的有益之处在于：器件导通时，栅漏间第一区域和第二区域的2DEG浓度增加，电阻减小；器件截止时，第一区域的2DEG减小，第二区域的2DEG与器件导通时相同，器件耗尽区的宽度增加，电场分布改变，器件击穿电压提高；复合漏极结构防止了漏极边缘出现电场峰值，提高了器件的击穿电压；绝缘栅结构避免了栅极泄漏电流，提高了器件性能。