- 专利标题: 半导体装置的制造方法及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜
- 专利标题(英): Semiconductor device manufacturing method and film used therein for protecting surface of semiconductor
-
申请号: CN201280038816.2申请日: 2012-08-09
-
公开(公告)号: CN103748664A公开(公告)日: 2014-04-23
- 发明人: 林下英司 , 尾崎胜敏 , 酒井充 , 森本哲光 , 小野博之 , 国重仁志
- 申请人: 三井化学东赛璐株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 三井化学东赛璐株式会社
- 当前专利权人: 三井化学东赛璐株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理商 金鲜英; 李宏轩
- 优先权: 2011-173948 2011.08.09 JP; 2012-117631 2012.05.23 JP
- 国际申请: PCT/JP2012/005058 2012.08.09
- 国际公布: WO2013/021644 JA 2013.02.14
- 进入国家日期: 2014-02-08
- 主分类号: H01L21/304
- IPC分类号: H01L21/304 ; C09J7/02 ; C09J11/06 ; C09J133/08
摘要:
本发明提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片,亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言,本发明提供一种半导体晶片表面保护用膜,其包括:在150℃的储存弹性模量GA(150)为1MPa以上的基材层(A),以及在120℃~180℃的任意温度的储存弹性模量GB(120~180)为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量GB(40)为10MPa以上的软化层(B)。
公开/授权文献
- CN103748664B 半导体装置的制造方法及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜 公开/授权日:2016-04-20
IPC分类: