半导体装置的制造方法及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜
摘要:
本发明提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片,亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言,本发明提供一种半导体晶片表面保护用膜,其包括:在150℃的储存弹性模量GA(150)为1MPa以上的基材层(A),以及在120℃~180℃的任意温度的储存弹性模量GB(120~180)为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量GB(40)为10MPa以上的软化层(B)。
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