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公开(公告)号：CN102986007B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180033494.8
申请日：2011-09-28
申请人： 三井化学东赛璐株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC分类号： H01L21/6836 , B32B27/08 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B2270/00 , B32B2274/00 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C08J5/18 , C08J2323/16 , C08J2323/20 , C09J7/241 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , Y10T156/1052 , Y10T428/24942 , Y10T428/28
摘要： 本发明的课题在于获得一种低污染、具有对于以往的烯烃系扩张性基材而言不充分的高扩张性、且不易颈缩的烯烃系扩张性基材及切割膜。为了达成上述课题，本发明提供一种扩张性膜，其为含有在23℃时的拉伸弹性模量为100MPa～500MPa的1-丁烯·α-烯烃共聚物（A）、以及包含丙烯·α-烯烃共聚物（b1）且在23℃时的拉伸弹性模量为10MPa～50MPa的丙烯系弹性体组合物（B）的基材，并且相对于（A）与（B）的合计100重量份，上述（B）的含量为30重量份～70重量份。
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公开(公告)号：CN103748664A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280038816.2
申请日：2012-08-09
申请人： 三井化学东赛璐株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/08
CPC分类号： C08F220/18 , B32B27/08 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B2457/14 , C08F222/1006 , C09J7/29 , C09J133/14 , C09J2201/122 , C09J2201/162 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2467/006 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , C08F2220/1858 , C08F2220/1808 , C08F2220/325 , C08F220/14 , C08F2222/104 , C08F2222/1046 , C09J133/08
摘要： 本发明提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片，亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言，本发明提供一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：在150℃的储存弹性模量GA（150）为1MPa以上的基材层（A），以及在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量GB（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量GB（40）为10MPa以上的软化层（B）。
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公开(公告)号：CN102763211B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201180009655.X
申请日：2011-05-31
申请人： 三井化学东赛璐株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , B24B1/00 , B24B7/22
CPC分类号： H01L21/67132 , Y10T428/1471
摘要： 本发明提供一种具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片。具体来说，提供一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有：在25℃时的储能模量E（25）为1GPa以上的基材层；在25℃时的储能模量EA（25）和在60℃时的储能模量EA（60）满足EA（60）/EA（25）
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公开(公告)号：CN102763211A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180009655.X
申请日：2011-05-31
申请人： 三井化学东赛璐株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , B24B1/00 , B24B7/22
CPC分类号： H01L21/67132 , Y10T428/1471
摘要： 本发明提供一种具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片。具体来说，提供一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有：在25℃时的储能模量E（25）为1GPa以上的基材层；在25℃时的储能模量EA（25）和在60℃时的储能模量EA（60）满足EA（60）/EA（25）
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公开(公告)号：CN103748664B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201280038816.2
申请日：2012-08-09
申请人： 三井化学东赛璐株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/08
CPC分类号： C08F220/18 , B32B27/08 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B2457/14 , C08F222/1006 , C09J7/29 , C09J133/14 , C09J2201/122 , C09J2201/162 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2467/006 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , C08F2220/1858 , C08F2220/1808 , C08F2220/325 , C08F220/14 , C08F2222/104 , C08F2222/1046
摘要： 本发明提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片，亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言，本发明提供一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：在150℃的储存弹性模量GA（150）为1MPa以上的基材层（A），以及在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量GB（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量GB（40）为10MPa以上的软化层（B）。
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