发明公开
- 专利标题: 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
- 专利标题(英): Array substrate, manufacturing method of array substrate, and display device
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申请号: CN201410086570.7申请日: 2014-03-10
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公开(公告)号: CN103887235A公开(公告)日: 2014-06-25
- 发明人: 阎长江 , 徐少颖 , 李田生 , 谢振宇 , 陈旭
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- 代理商 黄志华
- 主分类号: H01L21/77
- IPC分类号: H01L21/77 ; H01L27/12
摘要:
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,用以降低生产成本,进而保护周边过孔后续沉积的金属,避免金属和树脂粘附性不良的情况。阵列基板制造方法包括依次在衬底基板上制造栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板和第三钝化层;在第三钝化层上刻蚀位于漏极上方,贯穿第一、第二和第三钝化层的第一过孔、位于像素电极上方,贯穿第二和第三钝化层的第二过孔、位于存储电容上基板上方,贯穿第三钝化层的第三过孔、位于周边引线区源极上方,贯穿第一、第二和第三钝化层的第四过孔、位于周边引线区栅极上方,贯穿栅极绝缘层、第一、第二和第三钝化层的第五过孔。
公开/授权文献
- CN103887235B 一种阵列基板及其制造方法、显示装置 公开/授权日:2016-06-29
IPC分类: