-
公开(公告)号：CN103969905A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410108852.2
申请日：2014-03-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
CPC分类号： G02F1/155 , G02F2001/1635 , H01L27/124 , H01L27/1259
摘要： 本发明公开了一种电致变色显示器件及其制备方法，涉及显示技术领域，该电致变色显示器件可以有效的抑制相邻电致变色像素之间开口区的漏光现象，从而提高了电致变色显示器件的显示效果。本发明实施例的电致变色显示器件，显示器件包括多个电致变色像素，每个电致变色像素包括依次形成在透明基底上的第一导电层、电致变色层、第二导电层，相邻的电致变色像素之间设置有开口区，开口区设置有薄膜晶体管以及数据电极；薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及数据电极的投影覆盖开口区，薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及数据电极由不透光的材质制备。
-
公开(公告)号：CN103809809A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410042187.1
申请日：2014-01-28
申请人： 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： G06F3/044 , G06F3/0412 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111
摘要： 本发明属于触摸领域，提供了一种触摸装置及其制造方法，所述触摸装置包括：像素单元，所述像素单元内设置有电致变色层、像素电极和作为像素电极开关的薄膜晶体管，所述像素电极与电致变色层相连接；触摸单元，包括交叉绝缘设置的触摸驱动电极和触摸感应电极，用于获取触摸位置；所述薄膜晶体管用于根据获取的触摸位置控制像素电极工作，以给与像素电极相连接的电致变色层施加驱动信号。本发明通过触摸单元获取触摸位置，并根据触摸位置来将其对应在像素单元中的电致变色层变色，从而增加了触摸屏的颜色变化。由于通过触摸单元获取到触摸位置，从而可以控制触摸位置对应的电致变色层进行颜色变化。
-
公开(公告)号：CN103887235A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410086570.7
申请日：2014-03-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
CPC分类号： H01L27/1259 , H01L23/53209 , H01L27/124
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，用以降低生产成本，进而保护周边过孔后续沉积的金属，避免金属和树脂粘附性不良的情况。阵列基板制造方法包括依次在衬底基板上制造栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板和第三钝化层；在第三钝化层上刻蚀位于漏极上方，贯穿第一、第二和第三钝化层的第一过孔、位于像素电极上方，贯穿第二和第三钝化层的第二过孔、位于存储电容上基板上方，贯穿第三钝化层的第三过孔、位于周边引线区源极上方，贯穿第一、第二和第三钝化层的第四过孔、位于周边引线区栅极上方，贯穿栅极绝缘层、第一、第二和第三钝化层的第五过孔。
-
公开(公告)号：CN103887235B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410086570.7
申请日：2014-03-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，用以降低生产成本，进而保护周边过孔后续沉积的金属，避免金属和树脂粘附性不良的情况。阵列基板制造方法包括依次在衬底基板上制造栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板和第三钝化层；在第三钝化层上刻蚀位于漏极上方，贯穿第一、第二和第三钝化层的第一过孔、位于像素电极上方，贯穿第二和第三钝化层的第二过孔、位于存储电容上基板上方，贯穿第三钝化层的第三过孔、位于周边引线区源极上方，贯穿第一、第二和第三钝化层的第四过孔、位于周边引线区栅极上方，贯穿栅极绝缘层、第一、第二和第三钝化层的第五过孔。
-
公开(公告)号：CN103953841A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410177646.7
申请日：2014-04-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及易碎品防护技术领域，公开了一种易碎品保护装置，易碎品的易碎面上设有至少一个安装孔，保护装置安装在安装孔内，保护装置包括加速度或速度检测装置、驱动装置和缓冲体，加速度或速度检测装置用于检测易碎品的加速度或速度，当易碎品的加速度或速度大于设定值时，驱动装置驱动缓冲体从安装孔内弹出，安装孔内设有限位机构，用于限制缓冲体弹出的位置。本发明在易碎品跌落的过程中，缓冲体可从易碎品的易碎面安装孔内伸出，防止了易碎品的易碎面直接与着落点接触，进而防止易碎品在失控环境下与着落点发生撞击而破碎，本发明结构简单，操作方便，且反应敏捷，设备反应速度快，在失控环境下可及时对易碎品进行保护。
-
公开(公告)号：CN103953841B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410177646.7
申请日：2014-04-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及易碎品防护技术领域，公开了一种易碎品保护装置，易碎品的易碎面上设有至少一个安装孔，保护装置安装在安装孔内，保护装置包括加速度或速度检测装置、驱动装置和缓冲体，加速度或速度检测装置用于检测易碎品的加速度或速度，当易碎品的加速度或速度大于设定值时，驱动装置驱动缓冲体从安装孔内弹出，安装孔内设有限位机构，用于限制缓冲体弹出的位置。本发明在易碎品跌落的过程中，缓冲体可从易碎品的易碎面安装孔内伸出，防止了易碎品的易碎面直接与着落点接触，进而防止易碎品在失控环境下与着落点发生撞击而破碎，本发明结构简单，操作方便，且反应敏捷，设备反应速度快，在失控环境下可及时对易碎品进行保护。
-
公开(公告)号：CN103969905B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410108852.2
申请日：2014-03-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
CPC分类号： G02F1/155 , G02F2001/1635 , H01L27/124 , H01L27/1259
摘要： 本发明公开了一种电致变色显示器件及其制备方法，涉及显示技术领域，该电致变色显示器件可以有效的抑制相邻电致变色像素之间开口区的漏光现象，从而提高了电致变色显示器件的显示效果。本发明实施例的电致变色显示器件，显示器件包括多个电致变色像素，每个电致变色像素包括依次形成在透明基底上的第一导电层、电致变色层、第二导电层，相邻的电致变色像素之间设置有开口区，开口区设置有薄膜晶体管以及数据电极；薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及数据电极的投影覆盖开口区，薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及数据电极由不透光的材质制备。
-
公开(公告)号：CN203746853U
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201420142437.4
申请日：2014-03-27
申请人： 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L23/50 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本实用新型实施例公开了一种阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，能够使栅极绝缘层和有源层在一次构图工艺中形成，减少构图工艺次数。该阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述显示区域和所述非显示区域上设置有栅极金属层和位于所述栅极金属层上方的数据线金属层，所述栅极金属层包括位于所述非显示区域的布线栅极金属部分和位于所述显示区域的栅线，所述数据线金属层包括位于所述显示区域的数据线，所述显示区域上设置有薄膜晶体管，所述栅线包括与所述数据线交叉的交叉栅线部分和用于构成所述薄膜晶体管的栅极，所述布线栅极金属部分、所述交叉栅线部分和所述栅极所在区域，包括依次设置的图形相同的栅极绝缘层和有源层。
-
公开(公告)号：CN203689484U
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201420055786.2
申请日：2014-01-28
申请人： 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本实用新型属于触摸领域，提供了一种触摸装置，所述触摸装置包括：像素单元，所述像素单元内设置有电致变色层、像素电极和作为像素电极开关的薄膜晶体管，所述像素电极与电致变色层相连接；触摸单元，包括交叉绝缘设置的触摸驱动电极和触摸感应电极，用于获取触摸位置；所述薄膜晶体管用于根据获取的触摸位置控制像素电极工作，以给与像素电极相连接的电致变色层施加驱动信号。本实用新型通过触摸单元获取触摸位置，并根据触摸位置来将其对应在像素单元中的电致变色层变色，从而增加了触摸屏的颜色变化。由于通过触摸单元获取到触摸位置，从而可以控制触摸位置对应的电致变色层进行颜色变化。
-
公开(公告)号：CN104078421B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310110174.9
申请日：2013-03-29
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/144
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L27/1443 , H01L27/14603 , H01L27/14676 , H01L27/14687 , H01L27/14692 , H01L31/03762
摘要： 本发明公开一种非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置，其中，该方法包括：在基板上形成栅电极层、光电二极管结构的光传感器及位于所述光传感器下方的接触层的图形，所述接触层未被所述光传感器完全覆盖，所述接触层与栅电极层同层设置且材料相同；进行第二次构图工艺，在第一次构图工艺得到的基板上依次形成第一绝缘层、半导体层和源漏电极层的图形；在第二次构图工艺得到的基板上形成第二绝缘层，进行第三次构图工艺，形成使所述接触层、所述光传感器、所述源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。根据本发明的技术方案，能够简化非晶硅光电二极管基板的制造流程，提高制造效率，降低成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
85 条记录 (耗时 0.051 秒)
