公开(公告)号：CN108550595B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201810427616.5

申请日：2018-05-07

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇 ,  毛利军 ,  李田生

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供了一种X‑ray探测器阵列基板及其制作方法、X‑ray探测器，涉及探测器技术领域，能够有效避免过刻问题。该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管以及接收电极；形成第一钝化层；形成第一过孔和第二过孔；形成光电转换层；对光电转换层进行刻蚀，保留第二过孔对应区域的光电转换层，保留第一过孔中的光电转换层中的部分膜层；对树脂层和第二钝化层进行刻蚀，在第一过孔对应区域形成过孔露出第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，在第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔，露出第一导电层。该阵列基板的制作方法主要用于X‑ray探测器的制造过程中避免过刻问题。

公开(公告)号：CN109427697B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201710778797.1

申请日：2017-09-01

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 李田生 ,  谢振宇 ,  毛利军

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  C12M1/34

摘要： 本发明公开了一种基因检测芯片、其制作方法及检测方法，该基因检测芯片中数据线为具有多个膜层的多层结构；数据线的第一膜层与电极同层设置；第一膜层的材料为第一类金属材料；数据线的多个膜层中除第一膜层之外的至少一个膜层的材料为第二类金属材料；第二类金属材料的电阻率小于第一类金属材料的电阻率。这样通过将数据线设置为多层结构，其中数据线的第一膜层可以与电极同层同材质，采用与基因分子匹配性较好但电阻率高的金属材料，而数据线的其他膜层采用电阻率较小的金属材料，这样既能保证电极的匹配性又能降低数据线的电阻，从而可以降低基因检测的噪声。

公开(公告)号：CN109427697A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710778797.1

申请日：2017-09-01

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 李田生 ,  谢振宇 ,  毛利军

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  C12M1/34

摘要： 本发明公开了一种基因检测芯片、其制作方法及检测方法，该基因检测芯片中数据线为具有多个膜层的多层结构；数据线的第一膜层与电极同层设置；第一膜层的材料为第一类金属材料；数据线的多个膜层中除第一膜层之外的至少一个膜层的材料为第二类金属材料；第二类金属材料的电阻率小于第一类金属材料的电阻率。这样通过将数据线设置为多层结构，其中数据线的第一膜层可以与电极同层同材质，采用与基因分子匹配性较好但电阻率高的金属材料，而数据线的其他膜层采用电阻率较小的金属材料，这样既能保证电极的匹配性又能降低数据线的电阻，从而可以降低基因检测的噪声。

公开(公告)号：CN103985671B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201410183494.1

申请日：2014-04-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 张文余 ,  谢振宇 ,  郭建

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L23/50 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明实施例公开了一种阵列基板制备方法和阵列基板、显示装置，涉及显示领域，能够解决因有源层残留导致的开口率降低的技术问题。本发明的阵列基板制备方法，包括：形成栅金属层的工序，所述栅金属层包括栅线；有源层的成膜工序和信号线金属层的成膜工序，所述信号线金属层包括数据线；以及，通过半色调掩膜工艺同时形成有源层图形和信号线金属层图形的工序；在所述有源层的成膜工序之后，所述信号线金属层的成膜工序之前，还包括：通过构图工艺，将所述有源层的第一区域镂空，所述第一区域位于显示区域的数据线下方，且，所述数据线与所述栅线的交叠区域除外。

公开(公告)号：CN103985671A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410183494.1

申请日：2014-04-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 张文余 ,  谢振宇 ,  郭建

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L23/50 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明实施例公开了一种阵列基板制备方法和阵列基板、显示装置，涉及显示领域，能够解决因有源层残留导致的开口率降低的技术问题。本发明的阵列基板制备方法，包括：形成栅金属层的工序，所述栅金属层包括栅线；有源层的成膜工序和信号线金属层的成膜工序，所述信号线金属层包括数据线；以及，通过半色调掩膜工艺同时形成有源层图形和信号线金属层图形的工序；在所述有源层的成膜工序之后，所述信号线金属层的成膜工序之前，还包括：通过构图工艺，将所述有源层的第一区域镂空，所述第一区域位于显示区域的数据线下方，且，所述数据线与所述栅线的交叠区域除外。

公开(公告)号：CN103887244A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410083721.3

申请日：2014-03-07

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1222 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L27/1285 ,  H01L21/02658

摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。该阵列基板的制备方法包括以下步骤：在衬底基板上沉积非晶硅薄膜层；对非晶硅薄膜层进行构图工艺以在非晶硅薄膜层的表面形成具有多个小孔的图形。具体地：在非晶硅薄膜层的表面涂覆光刻胶层，对光刻胶层进行曝光显影，使光刻胶层形成完全保留区域和完全去除区域，完全去除区域对应非晶硅薄膜层的表面待形成的多个小孔，通过第一刻蚀工艺对光刻胶层的完全去除区域对应的非晶硅薄膜层进行刻蚀。本发明在进行非晶硅激光退火处理时，溶化后的熔融硅先填充非晶硅薄膜层表面的小孔的空间，从而改善由于多余的多晶硅的体积被挤压而形成突起的晶界。

公开(公告)号：CN109283231B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201710595582.6

申请日：2017-07-20

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇 ,  郝震宇 ,  高悦凯 ,  毛利军 ,  李田生

IPC分类号： G01N27/26

摘要： 本发明公开了一种医用检测基板、医用检测芯片及医用检测系统，该医用检测基板包括：衬底，以及位于衬底上的检测单元；其中，检测单元包括两组测试电极；两组测试电极通过绝缘的堤部间隔开，两组测试电极分别设置在堤部围成的凹部中。因此，通过绝缘的堤部将两组测试电极绝缘隔开，有效避免了两组测试电极之间产生横向干扰电场，从而有效提高了医用检测基板的检测精确度和灵敏度，为疾病的诊断提供了可靠的依据。

公开(公告)号：CN109283231A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201710595582.6

申请日：2017-07-20

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇 ,  郝震宇 ,  高悦凯 ,  毛利军 ,  李田生

IPC分类号： G01N27/26

摘要： 本发明公开了一种医用检测基板、医用检测芯片及医用检测系统，该医用检测基板包括：衬底，以及位于衬底上的检测单元；其中，检测单元包括两组测试电极；两组测试电极通过绝缘的堤部间隔开，两组测试电极分别设置在堤部围成的凹部中。因此，通过绝缘的堤部将两组测试电极绝缘隔开，有效避免了两组测试电极之间产生横向干扰电场，从而有效提高了医用检测基板的检测精确度和灵敏度，为疾病的诊断提供了可靠的依据。

公开(公告)号：CN104362125B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410498723.9

申请日：2014-09-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/3262 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/78618 ,  H01L2227/323

摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极位于有源层图案的上方，且源电极和漏电极通过绝缘结构中的过孔与有源层图案电性接触，并在制作源电极和漏电极之前，通过绝缘结构中的过孔对有源层图案进行离子注入，形成离子注入区，从而可以修复形成过孔的刻蚀工艺对有源层图案表面的破坏，改善了源电极、漏电极与有源层图案的金半电性接触性能，提高了薄膜晶体管的电学特性，保证了显示装置的显示品质。

公开(公告)号：CN104460172B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201410749513.2

申请日：2014-12-09

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 李田生 ,  谢振宇

IPC分类号： G02F1/17 ,  G02F1/19 ,  B81C1/00

摘要： 本发明提供了一种微机电显示单元及其制作方法、显示装置，该微机电显示单元包括第一电极、可发生形变的第二电极以及所述第一电极与所述第二电极之间的支撑结构，所述支撑结构包括与所述第二电极相接触的顶面、与第一电极相接触的底面以及与所述顶面和所述底面均相交的侧面，其中，所述顶面在所述底面的投影位于所述底面内，且所述侧面为斜坡状。本发明通过将两电极之间的支撑结构的侧面制作为斜坡状，在微机电显示单元呈暗态时，第二电极也可与支撑结构相紧贴，从而减小两电极之间的间隙，进而改善由于“关”态时两电极之间的间隙造成的漏光现象。