本发明公开了一种光刻胶去除方法。其包括：采用主要含氧等离子工艺，去除介电层顶部平面的所有光刻胶以及刻蚀开口侧壁的部分光刻胶；采用主要既含氧，又含F或CL的等离子工艺，去除步骤1中溅射的介电颗粒，以及刻蚀开口侧壁经步骤1后刻蚀开口侧壁剩余光刻胶中的部分光刻胶；采用主要含氧等离子工艺去除刻蚀开口侧壁经过步骤1和2后剩余的所有光刻胶。通过形成刻蚀开口的过程中，在中间步骤等离子处理过程中在去除刻蚀开口内腔中部分光刻胶的同时，一并去除在前一等离子处理过程中溅射出的、沉积在光刻胶表面的介电颗粒。