发明授权
CN104051506B 氟掺杂信道硅锗层
失效 - 权利终止
- 专利标题： 氟掺杂信道硅锗层
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申请号： CN201410097863.5申请日： 2014-03-17
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公开(公告)号： CN104051506B公开(公告)日： 2017-08-08
- 发明人: N·萨赛特 , R·严 , J·亨治尔 , S·Y·翁
- 申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
- 申请人地址： 新加坡,新加坡城
- 专利权人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
- 当前专利权人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
- 当前专利权人地址： 新加坡,新加坡城
- 代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟; 王锦阳
- 优先权： 13/832,495 20130315 US
- 主分类号： H01L29/08
- IPC分类号： H01L29/08 ; H01L21/336 ; H01L21/22
摘要：
本发明涉及一种氟掺杂信道硅锗层，其中，所揭示的是用于在信道硅锗(cSiGe)层具有改良型接口粗糙度的P型信道金属氧化物半导体场效晶体管(PMOSFET)的形成方法以及所产生的装置。具体实施例可包括在衬底中指定作为信道区的区域，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及将氟直接植入到信道硅锗层内。具体实施例或可包括将氟植入到硅衬底中被指定为信道区的区域内，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及加热硅衬底和信道硅锗层以将氟扩散到信道硅锗层内。
公开/授权文献
- CN104051506A 氟掺杂信道硅锗层 公开/授权日：2014-09-17
IPC分类:
