公开(公告)号：CN104051506B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201410097863.5

申请日：2014-03-17

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： N·萨赛特 ,  R·严 ,  J·亨治尔 ,  S·Y·翁

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种氟掺杂信道硅锗层，其中，所揭示的是用于在信道硅锗(cSiGe)层具有改良型接口粗糙度的P型信道金属氧化物半导体场效晶体管(PMOSFET)的形成方法以及所产生的装置。具体实施例可包括在衬底中指定作为信道区的区域，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及将氟直接植入到信道硅锗层内。具体实施例或可包括将氟植入到硅衬底中被指定为信道区的区域内，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及加热硅衬底和信道硅锗层以将氟扩散到信道硅锗层内。

公开(公告)号：CN104051506A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410097863.5

申请日：2014-03-17

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： N·萨赛特 ,  R·严 ,  J·亨治尔 ,  S·Y·翁

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种氟掺杂信道硅锗层，其中，所揭示的是用于在信道硅锗(cSiGe)层具有改良型接口粗糙度的P型信道金属氧化物半导体场效晶体管(PMOSFET)的形成方法以及所产生的装置。具体实施例可包括在衬底中指定作为信道区的区域，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及将氟直接植入到信道硅锗层内。具体实施例或可包括将氟植入到硅衬底中被指定为信道区的区域内，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及加热硅衬底和信道硅锗层以将氟扩散到信道硅锗层内。