公开(公告)号：CN103456693A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310205234.5

申请日：2013-05-29

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： J·亨治尔 ,  S·Y·翁 ,  S·弗莱克豪斯基 ,  T·沙伊普

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/08 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明涉及PMOS设备的中原位掺杂硅锗接合，提供一种具有PMOS嵌入式硅锗源极/漏极区的高介电常数金属栅极(HKMG)装置。本发明的实施例包含形成第一及第二HKMG栅极堆栈于基板上，该堆栈各自包含有二氧化硅盖、形成延伸区于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧、形成氮化物衬垫以及氧化物衬垫于HKMG栅极堆栈的各侧上；形成硬掩模于该第二HKMG栅极堆栈上方；形成嵌入式硅锗于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧、移除该硬掩模、形成共形的衬垫以及氮化物间隔于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的氧化物间隔上，以及形成深源极/漏极区于该第二HKMG栅极堆栈的相对侧。

公开(公告)号：CN104051506B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201410097863.5

申请日：2014-03-17

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： N·萨赛特 ,  R·严 ,  J·亨治尔 ,  S·Y·翁

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种氟掺杂信道硅锗层，其中，所揭示的是用于在信道硅锗(cSiGe)层具有改良型接口粗糙度的P型信道金属氧化物半导体场效晶体管(PMOSFET)的形成方法以及所产生的装置。具体实施例可包括在衬底中指定作为信道区的区域，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及将氟直接植入到信道硅锗层内。具体实施例或可包括将氟植入到硅衬底中被指定为信道区的区域内，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及加热硅衬底和信道硅锗层以将氟扩散到信道硅锗层内。

公开(公告)号：CN103456641B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201310202981.3

申请日：2013-05-28

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： J·亨治尔 ,  S·Y·翁 ,  S·弗莱克豪斯基 ,  T·沙伊普

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0922 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明涉及PMOS设备的晚原位掺杂硅锗接合。实施例包含形成第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈于基板上、形成氮化物衬垫及氧化物间隙壁于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的各侧、于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的各侧执行晕/延伸植入、形成氧化物衬垫及氮化物间隙壁于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的该氧化物间隙壁上；形成深源极/漏极区域在该第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的相反侧上；形成氧化物硬掩模于该第二高介电常数金属栅极栅极堆栈之上；形成嵌入式硅锗于该第一高介电常数金属栅极栅极堆栈的相反侧上；以及移除该氧化物硬掩模。

公开(公告)号：CN103456641A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310202981.3

申请日：2013-05-28

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： J·亨治尔 ,  S·Y·翁 ,  S·弗莱克豪斯基 ,  T·沙伊普

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0922 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明涉及PMOS设备的晚原位掺杂硅锗接合。实施例包含形成第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈于基板上、形成氮化物衬垫及氧化物间隙壁于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的各侧、于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的各侧执行晕/延伸植入、形成氧化物衬垫及氮化物间隙壁于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的该氧化物间隙壁上；形成深源极/漏极区域在该第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的相反侧上；形成氧化物硬掩模于该第二高介电常数金属栅极栅极堆栈之上；形成嵌入式硅锗于该第一高介电常数金属栅极栅极堆栈的相反侧上；以及移除该氧化物硬掩模。

公开(公告)号：CN104051506A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410097863.5

申请日：2014-03-17

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： N·萨赛特 ,  R·严 ,  J·亨治尔 ,  S·Y·翁

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种氟掺杂信道硅锗层，其中，所揭示的是用于在信道硅锗(cSiGe)层具有改良型接口粗糙度的P型信道金属氧化物半导体场效晶体管(PMOSFET)的形成方法以及所产生的装置。具体实施例可包括在衬底中指定作为信道区的区域，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及将氟直接植入到信道硅锗层内。具体实施例或可包括将氟植入到硅衬底中被指定为信道区的区域内，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及加热硅衬底和信道硅锗层以将氟扩散到信道硅锗层内。

公开(公告)号：CN103730423A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310470499.8

申请日：2013-10-10

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： J·亨治尔 ,  S·Y·翁 ,  R·严

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28176 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 本发明揭露一种栅极第一高介电常数金属栅极堆栈上无氧的快速热退火，其中，揭示一种改善临界电压(Vt)的半导体装置制造方法及所得的装置。具体实施例包含于衬底上形成高介电常数金属栅极堆栈；植入掺杂剂于衬底的主动区中；以及在氧气不超过30%的氮气环境中进行快速热退火。