发明公开
CN104089703A 半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置
无效 - 驳回
- 专利标题: 半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置
- 专利标题(英): Auxiliary temperature calibration device for reaction cavity of semiconductor film
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申请号: CN201410325405.2申请日: 2014-07-09
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公开(公告)号: CN104089703A公开(公告)日: 2014-10-08
- 发明人: 李成敏 , 严冬 , 王林梓 , 刘健鹏 , 张瑭 , 马小超
- 申请人: 北京智朗芯光科技有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
- 专利权人: 北京智朗芯光科技有限公司
- 当前专利权人: 北京智朗芯光科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
- 代理机构: 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 刘杰
- 主分类号: G01J5/00
- IPC分类号: G01J5/00 ; G01J5/54 ; H01L21/66
摘要:
本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置,属于半导体制造领域。该装置能够将光源的光强调节到P0,由于P0对应的黑体炉靶心的温度为T0,因此,可以将光源等效为一个温度为T0的热辐射源,此时,由温度探测装置探测到的光源透过狭缝窗口后光线的光强的最大值P0'等效为半导体薄膜反应腔内温度T0时的热辐射强度。应用该半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置时,相当于在已知T0和P0'的条件下,对半导体薄膜反应腔的测温装置进行校准。因此,该光源能够模拟温度为T0时的黑体辐射P0',为半导体薄膜反应腔温度校准提供支持。