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公开(公告)号：CN104697638B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201310655576.7
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准方法，半导体制造技术领域。该方法包括根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值‑温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点，将点对应的温度T的值代入计算公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
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公开(公告)号：CN104697972B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201310646667.4
申请日：2013-12-04
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法根据各外延片对应的实时拉曼散射光谱数据，实时分析各外延片带隙、微结构、组分信息，并实时反馈各外延片的波长偏差，从而在线实时检测各外延片的生长信息。该方法参数易协调一致且实时检测数据量明显降低，应用本发明提供的在线实时检测外延片生长的方法能够减小外延片质量差及报废带来的损失。
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公开(公告)号：CN105698964A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410693553.X
申请日：2014-11-26
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01K11/32
摘要： 本发明公开了一种单透镜型晶片基底温度测量装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光束入射至晶片基底之前，将透镜设置于分光平片之后，而在形成第二种反射光束之后，将透镜设置于分光平片之前，这样，只需要应用一个透镜即可，无需选用两个透镜，或者，在选用激光器和探测器时，无需它们自身集成有透镜，使得检测晶片基底二维形貌的装置的成本降低。
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公开(公告)号：CN104701200A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310651770.8
申请日：2013-12-05
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的装置，属于半导体检测技术领域。该装置包括黑体辐射值运算模块和温度运算模块，该装置通过引入镀膜窗口的反射率衰减因子和热辐射衰减因子，可以准确测量得到外延片的温度T。该装置能够消除反应腔窗口镀膜对在线实时温度检测值造成的影响、提高在线实时温度检测值准确度。
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公开(公告)号：CN104697973A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310648303.X
申请日：2013-12-04
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01N21/65
摘要： 本发明公开了一种外延片拉曼散射光谱数据生成方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法在石墨盘旋转的情况下，通过控制采集数据的时间间隔及每个数据采集周期对应的起始外延片，可以使采集的数据遍历布设在石墨盘外周上的所有外延片，即得到布设在石墨盘外周上的所有外延片拉曼散射光谱数据，从而，本发明提供的外延片拉曼散射光谱数据生成方法能够连续、自动生成布设在石墨盘外周上的外延片拉曼散射光谱数据。
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公开(公告)号：CN104697645A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310651743.0
申请日：2013-12-05
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01J5/52
CPC分类号： G01J5/58 , G01J5/0007 , G01J5/0896 , G01J2005/0048 , G01J2005/0059
摘要： 本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的装置及方法，属于半导体检测技术领域。该装置包括MOCVD反应腔、光源、分束器、参考光探测器、反射光探测器和数据采集单元。该方法以该装置为基础，能够得到针对外延片的反应腔窗口镀膜引起的热辐射衰减因子和反应腔窗口镀膜引起的反射率衰减因子。该装置及方法能够消除反应腔窗口镀膜对在线实时温度检测值造成的影响、提高在线实时温度检测值准确度。
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公开(公告)号：CN104697638A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310655576.7
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准方法，半导体制造技术领域。该方法包括根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值-温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点，将点对应的温度T的值代入计算公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
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公开(公告)号：CN104089704A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410325923.4
申请日：2014-07-09
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法，属于半导体制造领域。该方法首先利用第一探测装置标定出与黑体炉靶心处温度T0相对应的黑体炉辐射光强P0，再利用第二探测装置调节光源的光强至已知的P0，可以将光源等效为一个温度为T0的热辐射源，之后将已经调节好光强的光源置于半导体薄膜反应腔的狭缝窗口底部，并将此时探测到经过半导体薄膜反应腔后的光线的最大光强P0＇等效为半导体薄膜反应腔内温度T0时温度探测装置探测到的热辐射强度，最后，在已知T0和P0＇的条件下，对半导体薄膜反应腔的温度探测装置进行校准。该光源能够模拟温度为T0时的黑体辐射P0＇，为半导体薄膜反应腔温度校准提供支持。
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公开(公告)号：CN103985652A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310049375.2
申请日：2013-02-07
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶片应力测量装置，属于半导体器件技术领域。包括探测光发生装置、分束镜、腔室、样品托盘和位置探测装置，样品托盘置于腔室底部，晶片置于样品托盘上，腔室顶部设有狭缝窗口，探测光发生装置发出的探测光经过分束镜后垂直射向晶片，依次经过分束镜和狭缝窗口后垂直射向晶片，被晶片反射，依次经过狭缝窗口和分束镜后射向位置探测装置，样品托盘能够带动晶片旋转，使探测光在晶片上扫描。本发明还公开了基于该测量装置的测量方法。应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。
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