-
公开(公告)号：CN103985652B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310049375.2
申请日：2013-02-07
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶片应力测量装置，属于半导体器件技术领域。包括探测光发生装置、分束镜、腔室、样品托盘和位置探测装置，样品托盘置于腔室底部，晶片置于样品托盘上，腔室顶部设有狭缝窗口，探测光发生装置发出的探测光经过分束镜后垂直射向晶片，依次经过分束镜和狭缝窗口后垂直射向晶片，被晶片反射，依次经过狭缝窗口和分束镜后射向位置探测装置，样品托盘能够带动晶片旋转，使探测光在晶片上扫描。本发明还公开了基于该测量装置的测量方法。应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。
-
-
公开(公告)号：CN104129634A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201310158773.8
申请日：2013-05-02
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： B65G47/74
摘要： 本发明公开了一种升降机构，属于样品装载与卸载的装置技术领域。该升降机构包括限位轴、滑块和至少两组定位组件，滑块套设于限位轴，定位组件设置于滑块，限位轴上沿竖直方向设有定位区间，定位组件能够卡扣于定位区间，使得滑块在升降后的位置能够被固定。该升降机构结构简单，该升降机构能够借助滑块在限位轴上实现升降移动，并且，该升降机构能够借助定位区间与定位组件的配合使得滑块在升降后的位置能够被固定。
-
公开(公告)号：CN104134621B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310158775.7
申请日：2013-05-02
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种晶圆片辅助装载装置，属于样品装载与卸载的装置技术领域。该装载装置包括升降机构、晶圆片台、至少两个移动轴、限位板、两根限位导轨和底板。该装载装置能够借助升降机构与移动轴、限位板、两根限位导轨和底板之间的相互配合实现晶圆片台的上下移动和水平移动，从而方便晶圆片样品的取放，辅助实现晶圆片样品装载，并且使交互空间有限的手动装载过程安全、稳定。
-
公开(公告)号：CN104697637A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310655561.0
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01J5/00
摘要： 本发明公开了一种薄膜生长的实时测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的薄膜生长反应腔的校准系数；测量实际热辐射功率，将校准系数和实际热辐射功率代入公式，计算得到薄膜生长反应腔内薄膜的温度。该方法由于双波长测温结构所依附的薄膜生长反应腔经过校准，计算得到的薄膜的温度值更接近真值。
-
公开(公告)号：CN104697636A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310654540.7
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准装置，属于半导体制造技术领域。该装置包括实际热辐射比值获取单元和校准系数计算单元，实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值；校准系数计算单元根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值-温度曲线上与实际热辐射比值对应的点，并将该点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该装置能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
-
公开(公告)号：CN104134621A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201310158775.7
申请日：2013-05-02
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种晶圆片辅助装载装置，属于样品装载与卸载的装置技术领域。该装载装置包括升降机构、晶圆片台、至少两个移动轴、限位板、两根限位导轨和底板。该装载装置能够借助升降机构与移动轴、限位板、两根限位导轨和底板之间的相互配合实现晶圆片台的上下移动和水平移动，从而方便晶圆片样品的取放，辅助实现晶圆片样品装载，并且使交互空间有限的手动装载过程安全、稳定。
-
公开(公告)号：CN105091788A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410188236.2
申请日：2014-05-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01B11/25
CPC分类号： G01B11/245 , G01B11/255 , G01B2210/56 , G01N21/9501 , G01N21/956 , H01L22/30 , H01L33/005 , H01L33/20
摘要： 本发明公开了一种自动实时快速检测晶片基底二维形貌的装置。包括第一运算模块、第二运算模块和分析模块，第一运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率CX，第二运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率CY，其中，N为3以上的自然数，N个光斑是由N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与入射光一一对应的PSD上形成的，分析模块根据各CX、CY的计算结果，得到基底的二维形貌。该装置能够与高速旋转的石墨盘上的蓝宝石基底相适应。
-
公开(公告)号：CN104701200A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310651770.8
申请日：2013-12-05
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的装置，属于半导体检测技术领域。该装置包括黑体辐射值运算模块和温度运算模块，该装置通过引入镀膜窗口的反射率衰减因子和热辐射衰减因子，可以准确测量得到外延片的温度T。该装置能够消除反应腔窗口镀膜对在线实时温度检测值造成的影响、提高在线实时温度检测值准确度。
-
公开(公告)号：CN104697973A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310648303.X
申请日：2013-12-04
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01N21/65
摘要： 本发明公开了一种外延片拉曼散射光谱数据生成方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法在石墨盘旋转的情况下，通过控制采集数据的时间间隔及每个数据采集周期对应的起始外延片，可以使采集的数据遍历布设在石墨盘外周上的所有外延片，即得到布设在石墨盘外周上的所有外延片拉曼散射光谱数据，从而，本发明提供的外延片拉曼散射光谱数据生成方法能够连续、自动生成布设在石墨盘外周上的外延片拉曼散射光谱数据。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
27 条记录 (耗时 0.031 秒)