公开了一种基于填充结构、含补偿层的补偿结构的超级结半导体器件。超级结半导体器件包括在从单元区域中的基底区段突出的各台面区之间的条带结构。每个条带结构包括具有在填充结构的相对的侧上倒转地提供的第一区段和第二区段的补偿结构。每个区段包括第一导电类型的第一补偿层和互补的第二导电类型的第二补偿层。所述条带结构延伸到单元区域周围的边缘区域中。所述条带结构在边缘区域中包括端部区段。可以修改所述端部区段以增强击穿电压特性、雪崩耐量和换相行为。