公开(公告)号：CN112768513B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202110181336.2

申请日：2017-07-18

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.希尔勒

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

摘要： 一种功率半导体器件包括：半导体主体，被配置成在功率半导体器件的第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；源极区、沟道区和漂移体积，均被包括在半导体主体中，源极区被电连接至第一负载端子并且沟道区使源极区与漂移体积隔离；半导体区域，被包括在半导体主体中并且将漂移体积耦合至第二负载端子，在半导体区域和漂移体积之间建立第一过渡；控制电极，与半导体主体和负载端子中的每一个都绝缘并且被配置成控制沟道区中的负载电流的路径；以及沟槽，沿着延伸方向延伸到漂移体积中并且包括场电极。场电极的欧姆电阻大于控制电极的欧姆电阻。进一步地，场电极和第一过渡之间的距离占漂移体积在延伸方向上的总延伸的至少70%。

公开(公告)号：CN113241380A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110526623.2

申请日：2017-08-03

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.希尔勒 ,  M.皮潘 ,  D.波比希 ,  P.辛德勒 ,  E.贝西诺巴斯克斯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及具有漂移区和背面发射极的半导体装置及制造方法。通过外延而在前侧在底部衬底(105)上形成外延层(106)。从前侧的相反侧，底部衬底(105)的至少一部分被去除，其中底部衬底(105)被完全去除或者剩余底部部分(105a)具有至多20μm的厚度。从前侧的相反侧将第一电荷类型的掺杂物注入到外延层(106)的注入层(138)中。形成与前侧相对的金属漏电极(320)。至少注入层(138)被加热到不高于500℃的温度，其中所述加热仅激活注入层(138)中的注入掺杂物的一部分，并且在加热之后，沿着金属漏电极(320)和第二互补电荷类型的最近掺杂区域之间的最短线的激活掺杂物的积分浓度为至多1.5E13 cm‑2。

公开(公告)号：CN105633132B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201510835319.0

申请日：2015-11-26

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： O.布兰克 ,  F.希尔勒 ,  M.金 ,  M.H.韦莱迈尔 ,  叶俐君

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及具有栅沟槽下方的电荷补偿区的半导体器件。半导体衬底具有主表面和与主表面垂直间隔开的后表面、第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区。第三掺杂区置于第一和第二掺杂区之间在主表面下方。具有场板的场板沟槽从主表面垂直延伸到布置在第一掺杂区中的底部。具有栅电极的栅沟槽从主表面垂直延伸到第一掺杂区。补偿区带从栅沟槽底部垂直延伸更深入第一掺杂区中。补偿区带与栅沟槽侧向对齐并且沿着平行于主表面的器件的横截面平面邻近场板。

公开(公告)号：CN103915485B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201310747469.7

申请日：2013-12-31

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： S.加梅里特 ,  F.希尔勒 ,  H.韦伯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66325 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7802

摘要： 本发明涉及电荷补偿半导体器件。一种半导体器件具有源极金属化部、漏极金属化部以及半导体主体。该半导体主体包括与漏极金属化部接触的第一导电性类型的漂移层、在最大掺杂浓度方面高于漂移层的第一导电性类型的缓冲（和场阻止）层以及第二导电性的多个补偿区，每个与漂移和缓冲层形成pn结并与源极金属化部进行接触。每个补偿区包括在第二部分与源极金属化部之间的第一部分。第一部分和漂移层形成具有等于零的净掺杂的第一区域。第二部分和缓冲层形成第一导电性的第二区域。当在漏极和源极金属化部之间施加器件击穿电压的超过30%的反向电压时，在第二区域中形成空间电荷区。

公开(公告)号：CN104134684B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410179436.1

申请日：2014-04-30

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： S.加梅里特 ,  F.希尔勒 ,  H.韦伯 ,  A.维尔梅罗特

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/105 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

摘要： 公开了一种基于填充结构、含补偿层的补偿结构的超级结半导体器件。超级结半导体器件包括在从单元区域中的基底区段突出的各台面区之间的条带结构。每个条带结构包括具有在填充结构的相对的侧上倒转地提供的第一区段和第二区段的补偿结构。每个区段包括第一导电类型的第一补偿层和互补的第二导电类型的第二补偿层。所述条带结构延伸到单元区域周围的边缘区域中。所述条带结构在边缘区域中包括端部区段。可以修改所述端部区段以增强击穿电压特性、雪崩耐量和换相行为。

公开(公告)号：CN106409906A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610275891.0

申请日：2016-04-29

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.希尔勒 ,  D.图图克 ,  A.韦尔克尔 ,  H.韦伯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及包括结终端扩展结构的超结半导体器件及制造方法。实施例涉及超结半导体器件，其包括在半导体主体（106）的第一表面（104）处并至少部分地围绕有源单元区域（108）的结终端区域（102）。结终端区域（102）的内部分（110）布置在结终端区域（102）的外部分（112）和有源单元区域（108）之间。电荷补偿器件结构包括沿着第一横向方向（x）交替地布置的第一导电类型的第一区（114）和第二导电类型的第二区（116）。第一表面区域（118）对应于第一区（114）到第一表面（104）上的投影，而第二表面区域（120）对应于第二区（116）到第一表面（104）上的投影。超结半导体器件还包括第一结终端扩展结构（122）和第二结终端扩展结构（124）中的至少一个。

公开(公告)号：CN103367446B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310099144.2

申请日：2013-03-26

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： J.鲍姆加特尔 ,  O.布兰克 ,  F.希尔勒 ,  M.胡茨勒 ,  A.毛德 ,  S.泽尔德迈尔 ,  R.西米尼克 ,  M.聪德尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/515 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7843

摘要： 本发明涉及应力降低的场效应半导体器件和用于形成该器件的方法。提供了一种场效应半导体器件。该场效应半导体器件包括具有限定垂直方向的第一表面的半导体主体。在垂直截面中，该场效应半导体器件进一步包括从第一表面延伸到半导体主体中的垂直沟槽。该垂直沟槽包括场电极、至少部分地被场电极包围的腔体以及基本上包围至少该场电极的绝缘结构。此外，提供了一种用于产生场效应半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103383966B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201310056709.9

申请日：2013-02-22

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： O.布兰克 ,  F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  R.西米尼克

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： 本发明涉及具有改善的鲁棒性的半导体器件。一种半导体器件，包括：第一接触体，与器件的源极区域和在器件的有源区中形成的主体区域的第一部分低欧姆接触；和第二接触体，与在器件的外围区中形成的主体区域的第二部分低欧姆接触。在器件的第一表面的第二接触体的最小宽度大于在第一表面的第一接触体的最小宽度，使得在使半导体器件换向期间的最大电流密度减小，从而也减小了在硬换向期间器件损坏的风险。

公开(公告)号：CN103426912B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310183710.8

申请日：2013-05-17

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.希尔勒 ,  U.瓦尔 ,  H.韦伯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： 本发明涉及包括超结结构的半导体器件和制作方法。一种半导体器件包括半导体主体，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。位于半导体主体中的超结结构包括在平行于第一表面的第一方向中交替地布置的第一导电类型的漂移区域和补偿结构。每个电荷补偿结构包括：与第一导电类型互补的第二导电类型的第一半导体区域，以及包括毗邻第一半导体区域的第二导电类型的第二半导体区域的第一沟槽。第一半导体区域和第一沟槽在垂直于第一表面的第二方向上一个接一个地布置。

公开(公告)号：CN104167443A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410204575.5

申请日：2014-05-15

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  A.迈泽尔 ,  T.施勒泽尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7825 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28167 ,  H01L29/401 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7818 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/0634

摘要： 本发明涉及半导体器件、集成电路以及制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括晶体管。该晶体管包括源极区、漏极区、本体区、漂移区域和邻近本体区的栅极电极。该本体区、漂移区域、源极区和漏极区被设置在具有第一主表面的第一半导体层中。该本体区和漂移区域沿着第一方向被设置在源极区和漏极区之间，该第一方向平行于第一主表面。沟槽被设置在第一半导体层中，该沟槽在第一方向上延伸。该晶体管还包括邻近漂移区域布置的漂移控制区。该漂移控制区和栅极电极被设置在沟槽中。