- 专利标题: 包括测量光学元件的测量系统的投射曝光设备
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申请号: CN201380011972.4申请日: 2013-01-23
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公开(公告)号: CN104145205B公开(公告)日: 2016-09-28
- 发明人: S.布雷迪斯特尔 , J.哈特杰斯 , T.格鲁纳
- 申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 申请人地址: 德国上科亨
- 专利权人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 当前专利权人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 当前专利权人地址: 德国上科亨
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 邱军
- 优先权: 102012201410.1 2012.02.01 DE; 61/593,349 2012.02.01 US
- 国际申请: PCT/EP2013/000200 2013.01.23
- 国际公布: WO2013/113480 EN 2013.08.08
- 进入国家日期: 2014-09-01
- 主分类号: G02B27/00
- IPC分类号: G02B27/00 ; G01N21/41 ; G03F7/20
摘要:
一种微光刻的投射曝光设备(10),包括测量投射曝光设备的光学元件的测量系统(50)。测量系统(50)包括:照射装置(54),其构造成在不同方向(64)上将测量辐射(62)辐射至光学元件(20),使得对于不同入射方向(64),测量辐射(62)覆盖光学元件(20)内的相应光路长度(68);检测装置(56),其构造成对于相应入射方向(64)测量光学元件(20)中由测量辐射(62)覆盖的对应光学路径长度;以及评估装置,其构造成考虑相应入射方向,通过所测量路径长度的计算机断层反向投射确定光学元件(20)中的折射率的空间解析分布。
公开/授权文献
- CN104145205A 包括测量光学元件的测量系统的投射曝光设备 公开/授权日:2014-11-12