- 专利标题： 一种改良黑电平校准的图像传感器及其制作方法
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申请号： CN201410441377.0申请日： 2014-09-01
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公开(公告)号： CN104201181B公开(公告)日： 2017-06-09
- 发明人: 郭同辉 , 旷章曲 , 陈多金 , 陈杰 , 刘志碧 , 唐冕
- 申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室
- 专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
- 当前专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室
- 代理机构： 北京凯特来知识产权代理有限公司
- 代理商 郑立明; 赵镇勇
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L21/76
摘要：
本发明公开了一种改良黑电平校准的图像传感器及其制作方法，包括感光像素阵列和遮光像素阵列，遮光像素阵列周围设置有红色彩色滤光侧墙、绿色彩色滤光侧墙和蓝色彩色滤光侧墙。从非遮光像素阵列中游走到遮光像素阵列中的光线，经过彩色滤光侧墙时被吸收，所以遮光像素不会受到光线干扰，提升了黑电平校准的质量，提高了图像传感器所采集到的图像质量。
公开/授权文献
- CN104201181A 一种改良黑电平校准的图像传感器及其制作方法 公开/授权日：2014-12-10
IPC分类:
