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公开(公告)号：CN112261322A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011117358.4
申请日：2020-10-19
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种图形传感器，至少包含子图像单元阵列、外围数字模块和参考电压产生器等组件，子图像单元阵列由子图像单元排列成阵列构成；子图像单元由子像素阵列和非像素模块组成；非像素模块至少包含像素信号读取电路、模数转换器、子图像单元数字模块。利用传统图像传感器非有效成像区域，把传统固态图像传感器中部分非像素电路放在像素阵列中非有效成像正方形区域，提高图像传感器的面积利用率；或利用像素阵列中非有效成像区域增加图像传感器功能。
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公开(公告)号：CN104143558B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201410403947.7
申请日：2014-08-15
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/8238
摘要： 本发明公开了一种提高阱容量的图像传感器像素及其制作方法，包括置于半导体基体中的光电二极管以及电荷传输晶体管，光电二极管的侧面设置有晶体管电容，晶体管电容的栅极位于所述半导体基体内，晶体管电容的沟道位于光电二极管中。此晶体管电容加入到光电二极管中，有效提高了图像传感器的像素饱和阱容量，拓展了动态范围。
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公开(公告)号：CN106952254A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710160168.2
申请日：2017-03-17
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： G06T7/00
CPC分类号： G06T7/0002 , G06T2207/30168
摘要： 本发明公开了一种图像坏行坏列的检测方法，包括：以N％灰板为背景，连续采集n幅图像；将n幅图像进行平均，得到图像Im；分别求取图像Im水平方向和垂直方向的均值，进而求取水平方向与垂直方向的梯度；分别将水平方向与垂直方向的梯度最大值与阈值进行比较，从而检测图像坏行坏列。该方案检测结果准确，并且算法简单，计算量小，速度快。
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公开(公告)号：CN104135632B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410406689.8
申请日：2014-08-18
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374 , H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种非线性CMOS图像传感器像素及其工作方法，包括光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、反相器、开关晶体管和电容，复位晶体管的源极端与光电二极管的电荷收集端连接，反相器的栅极端与光电二极管的电荷收集端相连，所关晶体管的栅极端与反相器的输出端相连，开关晶体管的源极端外接电势，开关晶体管的漏极端与电容的正极板端相连，源跟随晶体管的栅极端与开关晶体管的漏极端相连。提高了弱光像素的灵敏度，同时压缩了强光像素的灵敏度，有效提升了图像传感器输出的图像品质。
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公开(公告)号：CN106888356A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710208728.7
申请日：2017-03-31
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种可变行长曝光控制的实现方法，包括：假设像素阵列为n行m列，需要从中间截取一个a行m/b列的十字图像，则需要曝光的十字图像中，a行需要曝光m列，其余行只需要曝光m/b列；将需要曝光全部m列a行的每一行映射为b个虚拟地址，每一虚拟地址的行长为m/b；以虚拟地址进行曝光计算，在地址输出时再映射成实际地址送出。本发明实施例的方案，采用可变行长曝光控制的方法，可以实现直接对需要的pixel阵列进行曝光，这样可以在需要非矩形图像时，提高图像采集的帧速率；同时，该方法也可以避免每一行的曝光时间不一致的问题。
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公开(公告)号：CN103139497B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310092489.5
申请日：2013-03-21
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种CMOS图像传感器的有源像素，至少包括置于半导体基体中的感光元件，连接感光元件的复位晶体管和源跟随晶体管，开关晶体管和列位线。本发明的图像传感器像素感光元件包含两个感光区：低剂量杂质离子注入区和靠近复位晶体管的高剂量杂质离子注入区；低照明时，感光元件内产生的光电电荷仅在高剂量杂质离子注入区收集，光电转换增益高，传感器的灵敏度高；高照明时，感光元件内产生的光电电荷在整个感光元件内收集。因此，本发明的有源像素有效提高了低照明时图像传感器的感光灵敏度，传感器采集到低照明时更多实物细节信息。
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公开(公告)号：CN103824869B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410098644.9
申请日：2014-03-17
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法，其中，所述图像传感器像素结构的光电二极管一侧的一浅槽隔离区、另一侧的两个浅槽隔离区中的一个浅槽隔离区及晶体管漏端部分有源区上均设有深P型阱区，其中，所述晶体管漏端有源区上的深P型阱区，其覆盖距所述光电二极管较远的浅槽隔离区，且不与距所述光电二极管较近的浅槽隔离区接触；使得所述光电二极管与晶体管漏端有源区之间构成溢出电荷导流通道。通过采用本发明公开的图像传感器像素结构及其制造方法，可防止采集的图像产生弥散现象，同时消除强光图像的周围像素颜色失真的问题。
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公开(公告)号：CN103391407B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310329255.8
申请日：2013-07-31
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素结构及该图像传感器，其中，该像素结构包括：四个像素，排列为三行两列阵列结构，第一列上端的像素与第二列下端的像素位于同一行中；该阵列结构中每一像素均设有一光电二极管与电荷传输晶体管，每一列的像素共享行选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管及漂浮有源区；每一列共享的漂浮有源区分别与该列两个像素的电荷传输晶体管，以及该列的源跟随晶体管和复位晶体管相连；该列的行选择晶体管与该列的源跟随晶体管相连；该列的复位晶体管与该列的行选择晶体管通过该列像素的信号输出线相连。通过采用本发明公开的像素结构与图像传感器，可有效提高像素的金属窗口开口率及小面积像素图像传感器的图像品质。
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公开(公告)号：CN103067676B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310016833.2
申请日：2013-01-16
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种高动态图像传感器及其有源像素，有源像素包括复位晶体管、源跟随晶体管、行选择晶体管、多个感光元件和列位线，每个感光元件对应连接一个电荷传输晶体管的源极，多个电荷传输晶体管的栅极相互连接在一起，多个电荷传输晶体管漏极相互连接在一起作为漂浮节点。多个感光元件采用的曝光饱和时间不同，压缩了传感器高曝光量时的光电响应曲线，降低了高曝光量像素的灵敏度，因此提高了图像传感器的动态范围。
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公开(公告)号：CN104009057A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410267744.X
申请日：2014-06-16
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/8238
摘要： 本发明公开了一种背照式图像传感器像素及图像传感器及其制作方法，包括置于半导体基体中的感光器件、置于背面的彩色滤光片和微透镜、置于正面绝缘介质中的金属互连线，正面设有曲面型镜面反光涂层。此反光涂层会将从感光器件透射出来的光全部反射回到感光器件，再此被感光器件吸收，从而提高了长波长光波红光的吸收效率，有效提高了背照式图像传感器红色像素的感光灵敏度。
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