-
公开(公告)号：CN113078624A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110553171.7
申请日：2021-05-20
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H02H9/02
摘要： 本发明公开了一种通过双LDO减小浪涌电流的电路，包括：两个LDO电路与上电复位电路；两个LDO电路的输出节点均连接所述上电复位电路；首先，启动第二LDO电路，当第二LDO电路的输出电压vout上升到目标电压后，通过POR电路，延迟一段时间开启第二LDO电路，并关闭第二LDO电路；其中，KM2
-
公开(公告)号：CN106888356B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201710208728.7
申请日：2017-03-31
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种可变行长曝光控制的实现方法，包括：假设像素阵列为n行m列，需要从中间截取一个a行m/b列的十字图像，则需要曝光的十字图像中，a行需要曝光m列，其余行只需要曝光m/b列；将需要曝光全部m列a行的每一行映射为b个虚拟地址，每一虚拟地址的行长为m/b；以虚拟地址进行曝光计算，在地址输出时再映射成实际地址送出。本发明实施例的方案，采用可变行长曝光控制的方法，可以实现直接对需要的pixel阵列进行曝光，这样可以在需要非矩形图像时，提高图像采集的帧速率；同时，该方法也可以避免每一行的曝光时间不一致的问题。
-
公开(公告)号：CN108388868A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810162486.7
申请日：2018-02-27
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种近距离感应物体影像的装置，包括由下至下依次连接的物距玻璃(1)、黑胶层(2)、黑膜层(3)、像距玻璃(4)与图像传感器(5)；所述的黑胶层(2)内散布多个发光体(6)与多个成像体(7)；所述的发光体(6)包括上下方向的发光体通孔(61)与设于发光体通孔(61)底部的发光二极管(62)；所述的成像体(7)包括上下方向的成像体通孔(71)与设于成像体通孔(71)下方中心的黑膜层(3)上的小孔(72)。成像清楚，识别率高，尺寸薄，可以应用在许多环境。
-
公开(公告)号：CN108364969A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810332707.0
申请日：2018-04-13
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种CMOS图像传感器封装结构，玻璃(3)通过键合围堰(2)封装于晶圆(1)上，其特征在于，所述的玻璃(3)采用红外截止膜镀膜的玻璃；玻璃(3)厚度200～300微米。解决炫光问题，成本低，效果好。
-
公开(公告)号：CN104464815B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201410720337.X
申请日：2014-12-01
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
发明人： 张春元
IPC分类号： G11C17/00
摘要： 本发明公开了一种快速准确的OTP编程控制方法，该方法包括：获取待编程的OTP编程内容以及OTP原内容，并存储；逐一比对所述待编程的OTP编程内容以及OTP原内容，对于所述OTP原内容中未编程但所述待编程的OTP编程内容中需编程的位置进行标记，获得待编程的地址与对应的待编程内容；当接收到外部编程指令时，跳过未被标记的地址，仅对标记的待编程地址处对应的待编程内容进行编程处理。本发明公开的方法可以对OTP的单元选择性实现编程，并可以对已编程单元进行保护，实现OTP块的快速准确编程。
-
公开(公告)号：CN104284111B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201410601539.2
申请日：2014-10-30
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/3745
摘要： 本发明公开了一种CMOS图像传感器双通道数据传输结构及方法，包括像素阵列、数字图像处理模块、和通道拼接模块，像素阵列与数字图像处理模块之间采用双通道数据传输结构连接，数字图像处理模块与通道拼接模块之间采用双通道数据传输结构连接。通道拼接模块对双通道输入的图像数据按原像素阵列的颜色顺序进行拼接，最终输出图像数据。可以提高传输效率，从而有效降低该类集成电路的功耗。
-
公开(公告)号：CN104269421B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410543165.3
申请日：2014-10-14
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种灵敏度自适应的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管，还包括设置于所述光电二极管侧面的晶体管电容和电荷存储区；晶体管电容的栅极多晶硅深入到半导体硅基体中，晶体管电容的沟道为光电二极管区，电荷存储区与所述晶体管电容的栅极多晶硅相接触，并且与光电二极管区相连，电荷存储区为所述电荷传输晶体管的源极端。本发明像素压缩了强光环境下的感光灵敏度，拓展了像素的感光动态范围，像素采集到了更多高照明时的实物信息。
-
公开(公告)号：CN104376540B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410718360.5
申请日：2014-12-01
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： G06T5/00
摘要： 本发明公开了一种Bayer图像的去噪方法，该方法包括：以Bayer图像中的一像素点作为中心像素点选取5×5的Bayer矩阵；从所述5×5的Bayer矩阵中提取与所述中心像素点相同通道的像素点，构成一个以所述中心像素点为中心的3×3矩阵；根据所述3×3矩阵中所述中心像素点与其相邻像素的像素值来判断所述中心像素点所在的图像区域；若判定所述中心像素不在图像的边缘或细节区域，则根据所述中心像素点与其相邻像素的像素差值计算对应相邻像素点的加权值，再结合对应像素点的像素值对所述中心像素点进行去噪处理，获得去噪后的像素值。本发明公开的方法旨在解决图像亮度与色度噪声的问题，尤其是对图像边缘与细节有较好的保护作用，并且占用空间少，成本低。
-
公开(公告)号：CN104218047B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410478914.9
申请日：2014-09-18
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L29/06 , H01L29/10
摘要： 本发明公开了一种高饱和容量的图像传感器像素及其工作方法，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、第一复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，还包括第二复位晶体管和N型离子区，第二复位晶体管与光电二极管相连；N型离子区的一部分位于所述电荷传输晶体管沟道中，另一部分位于所述漂浮有源区中，并且与漂浮有源区的N+区相连。像素的饱和电荷容量不受工作电势限制，进而有效提高了像素的饱和容量，提升了图像传感器输出的图像品质。
-
公开(公告)号：CN103811512B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410098876.4
申请日：2014-03-17
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法，该像素结构中至少包括置于半导体基体中的光电二极管、设置于该光电二极管一侧的一浅槽隔离区、设置于该光电二极管另一侧的两个浅槽隔离区及设置于所述两个浅槽隔离区之间且与电源相连的晶体管漏端有源区；其中，所述光电二极管一侧的一浅槽隔离区上设有深P型阱区；所述晶体管漏端有源区上依次设有N型阱区与深P型阱区，使得晶体管漏端有源区与相邻的两侧光电二极管之间存在溢出电荷导流通道。通过采用本发明公开的图像传感器像素结构及其制造方法，可以防止采集的图像产生弥散现象，同时消除强光图像的周围像素颜色失真的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
250 条记录 (耗时 0.061 秒)
