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公开(公告)号：CN104157661A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410404715.3
申请日：2014-08-15
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种CMOS图像传感器的制作方法，CMOS图像传感器包括基底及位于基底上方的像素单元和逻辑电路，像素单元包括光电二极管、浅槽隔离区，光电二极管与浅槽隔离区之间设有P型注入层。浅槽隔离区、P型注入层和光电二极管的形成采用一层像素专用掩膜版实现，且像素专用掩膜版只用到一次，像素单元的其它部分的形成共用逻辑电路的掩膜版；采用自对准注入工艺对光电二极管的表面进行P型杂质注入，形成表面掩蔽层。大大精简了像素所用掩膜版，在不牺牲像素性能的前提下大大缩减了制造成本。
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公开(公告)号：CN104143558A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410403947.7
申请日：2014-08-15
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/8238
摘要： 本发明公开了一种提高阱容量的图像传感器像素及其制作方法，包括置于半导体基体中的光电二极管以及电荷传输晶体管，光电二极管的侧面设置有晶体管电容，晶体管电容的栅极位于所述半导体基体内，晶体管电容的沟道位于光电二极管中。此晶体管电容加入到光电二极管中，有效提高了图像传感器的像素饱和阱容量，拓展了动态范围。
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公开(公告)号：CN102957880B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210479321.5
申请日：2012-11-22
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种有源像素、高动态范围图像传感器及操作有源像素的方法，相应的有源像素包括：设置于感光元件与第二漂浮节点之间的第二传输晶体管；连接所述第二漂浮节点的第二复位晶体管；连接第二漂浮节点的辅助电容。相应的操作有源像素的方法包括：清除感光元件势阱中的电荷，控制感光元件开始曝光；开启第一复位晶体管和行选择晶体管，对第一漂浮节点进行复位操作，复位操作完毕后关闭第一复位晶体管，并读取复位信号；开启第一传输晶体管，将感光元件中的光电电荷转移至第一漂浮节点，感光元件曝光结束；关闭第一传输晶体管，并读取光电信号；关闭行选择晶体管，读取光电信号操作完毕。本发明提高了图像传感器的动态范围及输出图像品质。
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公开(公告)号：CN104201181A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410441377.0
申请日：2014-09-01
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/76
摘要： 本发明公开了一种改良黑电平校准的图像传感器及其制作方法，包括感光像素阵列和遮光像素阵列，遮光像素阵列周围设置有红色彩色滤光侧墙、绿色彩色滤光侧墙和蓝色彩色滤光侧墙。从非遮光像素阵列中游走到遮光像素阵列中的光线，经过彩色滤光侧墙时被吸收，所以遮光像素不会受到光线干扰，提升了黑电平校准的质量，提高了图像传感器所采集到的图像质量。
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公开(公告)号：CN102957880A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210479321.5
申请日：2012-11-22
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种有源像素、高动态范围图像传感器及操作有源像素的方法，相应的有源像素包括：设置于感光元件与第二漂浮节点之间的第二传输晶体管；连接所述第二漂浮节点的第二复位晶体管；连接第二漂浮节点的辅助电容。相应的操作有源像素的方法包括：清除感光元件势阱中的电荷，控制感光元件开始曝光；开启第一复位晶体管和行选择晶体管，对第一漂浮节点进行复位操作，复位操作完毕后关闭第一复位晶体管，并读取复位信号；开启第一传输晶体管，将感光元件中的光电电荷转移至第一漂浮节点，感光元件曝光结束；关闭第一传输晶体管，并读取光电信号；关闭行选择晶体管，读取光电信号操作完毕。本发明提高了图像传感器的动态范围及输出图像品质。
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公开(公告)号：CN104143558B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201410403947.7
申请日：2014-08-15
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/8238
摘要： 本发明公开了一种提高阱容量的图像传感器像素及其制作方法，包括置于半导体基体中的光电二极管以及电荷传输晶体管，光电二极管的侧面设置有晶体管电容，晶体管电容的栅极位于所述半导体基体内，晶体管电容的沟道位于光电二极管中。此晶体管电容加入到光电二极管中，有效提高了图像传感器的像素饱和阱容量，拓展了动态范围。
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公开(公告)号：CN104135632B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410406689.8
申请日：2014-08-18
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374 , H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种非线性CMOS图像传感器像素及其工作方法，包括光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、反相器、开关晶体管和电容，复位晶体管的源极端与光电二极管的电荷收集端连接，反相器的栅极端与光电二极管的电荷收集端相连，所关晶体管的栅极端与反相器的输出端相连，开关晶体管的源极端外接电势，开关晶体管的漏极端与电容的正极板端相连，源跟随晶体管的栅极端与开关晶体管的漏极端相连。提高了弱光像素的灵敏度，同时压缩了强光像素的灵敏度，有效提升了图像传感器输出的图像品质。
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公开(公告)号：CN104201181B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201410441377.0
申请日：2014-09-01
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/76
摘要： 本发明公开了一种改良黑电平校准的图像传感器及其制作方法，包括感光像素阵列和遮光像素阵列，遮光像素阵列周围设置有红色彩色滤光侧墙、绿色彩色滤光侧墙和蓝色彩色滤光侧墙。从非遮光像素阵列中游走到遮光像素阵列中的光线，经过彩色滤光侧墙时被吸收，所以遮光像素不会受到光线干扰，提升了黑电平校准的质量，提高了图像传感器所采集到的图像质量。
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公开(公告)号：CN104135632A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410406689.8
申请日：2014-08-18
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374 , H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种非线性CMOS图像传感器像素及其工作方法，包括光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、反相器、开关晶体管和电容，复位晶体管的源极端与光电二极管的电荷收集端连接，反相器的栅极端与光电二极管的电荷收集端相连，所关晶体管的栅极端与反相器的输出端相连，开关晶体管的源极端外接电势，开关晶体管的漏极端与电容的正极板端相连，源跟随晶体管的栅极端与开关晶体管的漏极端相连。提高了弱光像素的灵敏度，同时压缩了强光像素的灵敏度，有效提升了图像传感器输出的图像品质。
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公开(公告)号：CN102593138B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210018146.X
申请日：2012-01-19
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种CMOS图像传感器及CMOS图像传感器的制造方法，相应的CMOS图像传感器包括高反射率薄膜和两层金属连线，用于屏蔽入射光的高反射率薄膜设置在两层金属连线的四周和顶部。相应的方法包括在硅衬底材料上将As或P离子植入衬底材料形成N型光电二极管；光电二极管之间的衬底材料采用腐蚀工艺蚀刻开并填充形成浅沟槽绝缘；在衬底表面逐层淀积介质层和金属层，复合层作为金属的介质层；将光电二极管表面的介质材料腐蚀，形成凹槽侧壁及凹槽状，在凹槽侧壁及凹槽外部介质上表面形成一层高反射率薄膜；在凹槽中淀积彩色滤光片材料并在其上制作微透镜。本发明避免了入射光在金属间反射而造成的串扰，缩短了入射光到达像素表面的距离。
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