利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明公开
CN104254891A EUV范围的反射镜、制造该反射镜的方法及包含该反射镜的投射曝光设备 有权

  • 专利标题： EUV范围的反射镜、制造该反射镜的方法及包含该反射镜的投射曝光设备
  • 专利标题（英）： Mirror for the euv wavelength range, method for producing such a mirror, and projection exposure apparatus comprising such a mirror
  • 申请号： CN201380013152.9
    申请日： 2013-03-06
  • 公开(公告)号： CN104254891A
    公开(公告)日： 2014-12-31
  • 发明人: P.休伯 , G.冯布兰肯哈根
  • 申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
  • 申请人地址： 德国上科亨
  • 专利权人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
  • 当前专利权人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
  • 当前专利权人地址： 德国上科亨
  • 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
  • 代理商 陈金林
  • 优先权： 102012203633.4 2012.03.08 DE; 61/608,229 2012.03.12 US
  • 国际申请： PCT/EP2013/000663 2013.03.06
  • 国际公布： WO2013/131648 EN 2013.09.12
  • 进入国家日期： 2014-09-09
  • 主分类号： G21K1/06
  • IPC分类号： G21K1/06
EUV范围的反射镜、制造该反射镜的方法及包含该反射镜的投射曝光设备
摘要：
本发明涉及一种对于0°和25°之间的至少一个入射角具有大于40％的反射率的EUV波长范围的反射镜(1)，包含：基板(S)和层布置，其中所述层布置包含至少一个非金属单独层(B,H,M)，以及其中所述非金属单独层(B,H,M)掺杂有介于10ppb至10％之间，尤其介于100ppb和0.1％之间的杂质原子，使得非金属单独层(B,H,M)获得大于6*1010cm-3的电荷载流子密度和/或大于1*10-3S/m的电导率，尤其是大于6*1013cm-3的电荷载流子密度和/或大于1S/m的电导率。
摘要（英）：

The invention relates to a mirror (1) for the EUV wavelength range having a reflectivity of greater than 40% for at least one angle of incidence of between 0 DEG C and 25 DEG C, comprising a substrate (S) and a layer arrangement, wherein the layer arrangement comprises at least one non-metallic individual layer (B, H, M), and wherein the non-metallic individual layer (B, H, M) has a doping with impurity atoms of between 10 ppb and 10%, in particular between 100 ppb and 0.1%, such that a charge carrier density of greater than 6*1010 cm<-3> and/or an electrical conductivity of greater than 1*10<-3> S/m, in particular a charge carrier density of greater than 6*1013 cm<-3> and/or an electrical conductivity of greater than 1 S/m, are/is afforded for the non-metallic individual layer (B, H, M).

公开/授权文献
0/0