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公开(公告)号:CN104254891B
公开(公告)日:2017-09-12
申请号:CN201380013152.9
申请日:2013-03-06
申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号: G21K1/06
CPC分类号: G03F7/702 , B82Y10/00 , C23C14/06 , C23C14/35 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G21K1/062
摘要: 本发明涉及一种对于0°和25°之间的至少一个入射角具有大于40%的反射率的EUV波长范围的反射镜(1),包含:基板(S)和层布置,其中所述层布置包含至少一个非金属单独层(B,H,M),以及其中所述非金属单独层(B,H,M)掺杂有介于10ppb至10%之间,尤其介于100ppb和0.1%之间的杂质原子,使得非金属单独层(B,H,M)获得大于6*1010cm‑3的电荷载流子密度和/或大于1*10‑3S/m的电导率,尤其是大于6*1013cm‑3的电荷载流子密度和/或大于1S/m的电导率。
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公开(公告)号:CN102576196A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201080043761.5
申请日:2010-09-17
申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号: G03F7/70958 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0825 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70941 , G03F7/70983 , G21K1/062 , G21K2201/061 , G21K2201/067
摘要: 为了减小由EUV光刻设备中的二氧化硅、碳氢化合物和/金属构成的污染物对反射率的不利影响,提出一种用于极紫外波长范围的具有反射表面(59)的反射光学元件(50),其中该反射表面(59)的多层镀膜具有由氟化物构成的顶端层(56)。在EUV光刻设备的操作期间沉积在反射光学元件(50)上的所提及的污染物通过添加以下所提及的至少一种物质而被转化为挥发性化合物:原子氢、分子氢、全氟化烷烃(例如四氟化甲烷)、氧、氮和/或氦。
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公开(公告)号:CN103547945A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201280024078.6
申请日:2012-05-15
申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号: G03F7/2008 , B82Y10/00 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B19/0095 , G02B27/0006 , G03F7/2004 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067 , Y10T428/265
摘要: 为了减少活性氢对尤其位于EUV光刻装置内的反射光学元件的寿命的不利影响,提出了用于极紫外和软X射线波长区域的反射光学元件(50),其包含具有多层系统(51)的反射表面,在该情况下,反射表面(60)包含具有由碳化硅或钌构成的最上层(56)的保护层系统(59),保护层系统(59)具有在5nm和25nm之间的厚度。
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公开(公告)号:CN103547945B
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201280024078.6
申请日:2012-05-15
申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号: G03F7/2008 , B82Y10/00 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B19/0095 , G02B27/0006 , G03F7/2004 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067 , Y10T428/265
摘要: 为了减少活性氢对尤其位于EUV光刻装置内的反射光学元件的寿命的不利影响,提出了用于极紫外和软X射线波长区域的反射光学元件(50),其包含具有多层系统(51)的反射表面,在该情况下,反射表面(60)包含具有由碳化硅或钌构成的最上层(56)的保护层系统(59),保护层系统(59)具有在5nm和25nm之间的厚度。
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公开(公告)号:CN104254891A
公开(公告)日:2014-12-31
申请号:CN201380013152.9
申请日:2013-03-06
申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号: G21K1/06
CPC分类号: G03F7/702 , B82Y10/00 , C23C14/06 , C23C14/35 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G21K1/062
摘要: 本发明涉及一种对于0°和25°之间的至少一个入射角具有大于40%的反射率的EUV波长范围的反射镜(1),包含:基板(S)和层布置,其中所述层布置包含至少一个非金属单独层(B,H,M),以及其中所述非金属单独层(B,H,M)掺杂有介于10ppb至10%之间,尤其介于100ppb和0.1%之间的杂质原子,使得非金属单独层(B,H,M)获得大于6*1010cm-3的电荷载流子密度和/或大于1*10-3S/m的电导率,尤其是大于6*1013cm-3的电荷载流子密度和/或大于1S/m的电导率。
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