发明授权
- 专利标题: 绝缘体上硅的横向P型绝缘栅双极晶体管
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申请号: CN200910212770.1申请日: 2009-11-09
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公开(公告)号: CN104282740B公开(公告)日: 2017-03-01
- 发明人: 王钦 , 李海松 , 刘侠 , 杨东林 , 陈文高 , 祝靖 , 朱奎英 , 易扬波
- 申请人: 苏州博创集成电路设计有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖林泉街399号1号楼3层
- 专利权人: 苏州博创集成电路设计有限公司
- 当前专利权人: 苏州博创集成电路设计有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖林泉街399号1号楼3层
- 代理机构: 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理商 楼高潮
- 主分类号: H01L29/739
- IPC分类号: H01L29/739 ; H01L29/06 ; H01L29/36
摘要:
本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管,包括:N型掺杂半导体衬底,在N型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层,在氧化层上设有P型漂移区,在P型漂移区中设有较高浓度的P型掺杂半导体区,这个较高浓度的P型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区,浓度高于P型漂移区的浓度,同时,该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且,该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层,栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板,其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
公开/授权文献
- CN104282740A 绝缘体上硅的横向P型绝缘栅双极晶体管 公开/授权日:2015-01-14