公开(公告)号：CN105097903B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN200910212769.9

申请日：2009-11-09

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 李海松 ,  王钦 ,  刘侠 ,  杨东林 ,  陈文高 ,  祝靖 ,  刘斯扬 ,  易扬波

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

摘要： 本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端第二鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于两层台阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。

公开(公告)号：CN104576722A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410813021.5

申请日：2014-12-24

申请人： 东南大学 ,  无锡华润上华半导体有限公司 ,  苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 孙伟锋 ,  喻慧 ,  张龙 ,  易扬波 ,  苏巍 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66325

摘要： 一种高可靠性的横向绝缘栅双极器件及其制备方法，包括：P型衬底、埋氧层，N型漂移区，二氧化硅层，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，在P型体区内设有P型发射极和N型发射极，在P型发射极和N型发射极上连接有发射极电极金属连线，在N型缓冲层中设有P型集电极，在P型集电极上连接有集电极金属，在二氧化硅层内设有多晶硅栅和多晶硅场板，在多晶硅栅上连接有栅极金属，在N型漂移区内还设有一排沟槽，在每个沟槽的内壁上设有一层二氧化硅，在二氧化硅内填充多晶硅，所述沟槽与P型体区、P型发射极、N型发射极和多晶硅栅的U字形开口相邻，所述沟槽位于集电极金属的下方且与集电极金属垂直。

公开(公告)号：CN101764151A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910212765.0

申请日：2009-11-09

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 易扬波 ,  杨东林 ,  祝靖 ,  王钦 ,  刘侠

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L23/60 ,  H02H9/00

CPC分类号： H01L29/87 ,  H01L29/1016

摘要： 一种具有高维持电压的静电放电防护SCR结构，形成于一器件上，所述器件包括包含P型衬底，在P型衬底上设有N型掩埋层，在N型掩埋层上设有N型阱，在P型衬底上还设有与N型阱平行的P型阱。在N型阱中设有第一N+掺杂区和第一P+掺杂区，第一N+掺杂区和第一P+掺杂区通过接触孔引出并连接在一起，作为器件的阳极，在P型阱中设有第二N+掺杂区和第二P+掺杂区，第二N+掺杂区和第二P+掺杂区通过接触孔引出并连接在一起，作为器件的阴极。SCR结构便由N型阱中的P+掺杂区，N型阱区域，P型阱区域，P型阱中的N+掺杂区构成，它通过P型衬底和N型阱之间的掩埋层来增加维持状态下的N阱电阻，从而增加了维持电压。

公开(公告)号：CN104282740B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN200910212770.1

申请日：2009-11-09

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 王钦 ,  李海松 ,  刘侠 ,  杨东林 ,  陈文高 ,  祝靖 ,  朱奎英 ,  易扬波

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

摘要： 本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有P型漂移区，在P型漂移区中设有较高浓度的P型掺杂半导体区，这个较高浓度的P型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区，浓度高于P型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。

公开(公告)号：CN105097903A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200910212769.9

申请日：2009-11-09

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 李海松 ,  王钦 ,  刘侠 ,  杨东林 ,  陈文高 ,  祝靖 ,  刘斯扬 ,  易扬波

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

摘要： 本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。

公开(公告)号：CN104282740A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN200910212770.1

申请日：2009-11-09

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 王钦 ,  李海松 ,  刘侠 ,  杨东林 ,  陈文高 ,  祝靖 ,  朱奎英 ,  易扬波

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/7394 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402

摘要： 本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有P型漂移区，在P型漂移区中设有较高浓度的P型掺杂半导体区，这个较高浓度的P型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区，浓度高于P型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。