公开(公告)号：CN116564951A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310748844.3

申请日：2023-06-25

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 李海松 ,  龚千 ,  赵倡申 ,  李骏 ,  易扬波

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/64

摘要： 本发明涉及开关电源半导体技术领域，具体公开了一种具有集成封装结构的电源装置，其中，包括：封装框架；电气元件，设置在所述封装框架上，所述电气元件至少包括电源控制管芯和电感，所述电源控制管芯和所述封装框架连接，所述电感至少与所述封装框架连接。本发明提供的具有集成封装结构的电源装置，通过将电气元件中的电感与电源控制管芯进行封装集成，精简了电源装置结构；另外，由于采用封装框架与电气元件的封装减少了PCB走线所带来的寄生电感，由于电感与电源控制管芯直接打线，相比于现有技术的两次打线进一步降低寄生电感，且采用市面上现有物料即可实现。

公开(公告)号：CN110868046A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201911139324.2

申请日：2019-11-20

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 李海松 ,  杨帆 ,  肖逸凡 ,  易扬波

IPC分类号： H02M1/00 ,  H02M7/00

摘要： 本发明揭示了一种电源芯片及应用该芯片的开关电源系统，该电源芯片包括封装框架及设置于其上的电气元件，封装框架由第一基岛、第二基岛和多个引脚组成，第一基岛与第二基岛之间相互独立设置且均由导电材料制成；电气元件包括电源控制管芯、第一二极管以及第二二极管，电源控制管芯上设置有第一连接垫片及第二连接垫片，电源控制管芯的衬底与第一基岛键合，第一连接垫片与第一基岛键合，第二连接垫片与第二二极管的阳极键合，第一二极管的衬底与第一基岛键合，第二二极管的衬底与第二基岛键合。本发明通过优化后的封装结构以及系统内部集成式电源控制管芯的运用，最大幅度上精简了系统结构、缩小了系统成品的体积、提高了加工企业的生产良率。

公开(公告)号：CN109067213B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201810895405.4

申请日：2018-08-08

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 陶平 ,  秦浩 ,  高维 ,  李海松 ,  易扬波

IPC分类号： H02M7/219 ,  H02M3/335 ,  H02M1/44

摘要： 本发明揭示了一种准谐振模式的开关电源控制器及控制方法，控制器包括：过零检测电路，采样过零点并生成过零信号；谷底导通逻辑电路，接收过零信号及最大频率信号，生成谷底开启信号，并依据预设判断逻辑决定是否选择新的谷底进行锁存；PWM逻辑控制电路，接收谷底开启信号和最小频率信号、以此控制PWM信号导通，依据FB电压信号和CS电压信号控制PWM信号关断；时间设定电路，接收PWM信号和FB电压信号，产生最大频率信号及最小频率信号，并以此控制PWM工作的最大频率、最小频率。本发明既可以消除准谐振模式工作时相邻谷底不停切换带来的音频噪声，又能够改善EMI，具有很高的使用及推广价值。

公开(公告)号：CN110579639A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910948032.7

申请日：2019-10-08

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 杨帆 ,  肖逸凡 ,  李海松 ,  易扬波

IPC分类号： G01R19/175 ,  H02M7/217 ,  H02M3/335

摘要： 本发明揭示了一种市电过零检测电路及应用该电路的开关电源系统，电路包括按序连接的二极管、过零电压钳位电路以及过零比较电路；所述二极管的正极作为整个市电过零检测电路的输入端与AC输入电性连接，所述二极管的负极与所述过零电压钳位电路的正端电性连接，所述过零电压钳位电路的负端与所述过零比较电路的输入端电性连接，所述过零比较电路的输出端与所述开关电源系统内的控制器件电性连接或直接作为过零输出、输出过零信号。本发明的电路整体由二极管、过零电压钳位电路以及过零比较电路三部分组成，电路结构简洁直观，所使用的元器件普通易得，整体设置成本及功耗低，十分适合大规模推广。

公开(公告)号：CN109067213A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810895405.4

申请日：2018-08-08

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 陶平 ,  秦浩 ,  高维 ,  李海松 ,  易扬波

IPC分类号： H02M7/219 ,  H02M3/335 ,  H02M1/44

摘要： 本发明揭示了一种准谐振模式的开关电源控制器及控制方法，控制器包括：过零检测电路，采样过零点并生成过零信号；谷底导通逻辑电路，接收过零信号及最大频率信号，生成谷底开启信号，并依据预设判断逻辑决定是否选择新的谷底进行锁存；PWM逻辑控制电路，接收谷底开启信号和最小频率信号、以此控制PWM信号导通，依据FB电压信号和CS电压信号控制PWM信号关断；时间设定电路，接收PWM信号和FB电压信号，产生最大频率信号及最小频率信号，并以此控制PWM工作的最大频率、最小频率。本发明既可以消除准谐振模式工作时相邻谷底不停切换带来的音频噪声，又能够改善EMI，具有很高的使用及推广价值。

公开(公告)号：CN104282740B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN200910212770.1

申请日：2009-11-09

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 王钦 ,  李海松 ,  刘侠 ,  杨东林 ,  陈文高 ,  祝靖 ,  朱奎英 ,  易扬波

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

摘要： 本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有P型漂移区，在P型漂移区中设有较高浓度的P型掺杂半导体区，这个较高浓度的P型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区，浓度高于P型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。

公开(公告)号：CN106208662A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610571170.4

申请日：2016-07-20

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 李海松 ,  赵倡申 ,  刘文亮 ,  易扬波

IPC分类号： H02M1/36 ,  H02M3/335

CPC分类号： H02M3/33515 ,  H02M1/08 ,  H02M1/36 ,  H02M3/33507 ,  H02M2001/0009 ,  H02M2001/0022 ,  H02M2001/0025 ,  H02M2001/0016 ,  H02M2001/0048

摘要： 本发明公开了输出恒压补偿电路，电流源的输入端连接供电信号端Vsupply，输出端与第一开关的第一端相连，第一开关的第二端与CV环路控制模块的第一输入端以及第二开关的第一端相连并接至芯片管脚FB，第一开关的控制端与逻辑非门的输入端相连，第二开关的第二端与可控电流源输入端相连，第二开关的控制端与逻辑非门的输出端相连，可控电流源的第一控制端与CV环路控制模块的第一输出端相连，可控电流源第二控制端与输入电压检测模块的输出端相连，可控电流源输出端连接至电源地，CV环路控制模块第二输入端连接至芯片管脚CS，CV环路控制模块的第二输出端连接驱动模块的输入端。用于极小待机输入功耗或极高输出恒压精度的场合。

公开(公告)号：CN105097903A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200910212769.9

申请日：2009-11-09

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 李海松 ,  王钦 ,  刘侠 ,  杨东林 ,  陈文高 ,  祝靖 ,  刘斯扬 ,  易扬波

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

摘要： 本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。

公开(公告)号：CN104282740A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN200910212770.1

申请日：2009-11-09

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 王钦 ,  李海松 ,  刘侠 ,  杨东林 ,  陈文高 ,  祝靖 ,  朱奎英 ,  易扬波

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/7394 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402

摘要： 本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有P型漂移区，在P型漂移区中设有较高浓度的P型掺杂半导体区，这个较高浓度的P型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区，浓度高于P型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。

公开(公告)号：CN102386185A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010265799.9

申请日：2010-08-30

申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 易扬波 ,  李海松 ,  陶平 ,  王钦 ,  刘侠

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8236 ,  H01L21/8238

摘要： 本发明公开了一种高低压集成的工艺器件及其制备方法，包括低压增强型、耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管，高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管和中高压增强型、耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管构成；所述制备方法为：在N型重掺杂衬底上制作N型外延层，接着在N型外延层上制作不同的P型掺杂阱，然后在P型掺杂阱上同时制作中高压增强型、耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的N型耐压区，最后在P型掺杂阱和N型耐压区上进行源漏注入。本发明所述工艺器件结构基于外延材料集成纵向功率器件，工艺集成度和可靠性高。