发明授权
CN104465736B 内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法
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申请号： CN201410742995.9申请日： 2014-12-08
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公开(公告)号： CN104465736B公开(公告)日： 2017-07-21
- 发明人: 靳晓诗 , 吴美乐 , 刘溪 , 揣荣岩
- 申请人： 沈阳工业大学
- 申请人地址： 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
- 专利权人： 沈阳工业大学
- 当前专利权人： 沈阳工业大学
- 当前专利权人地址： 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
- 代理机构： 沈阳智龙专利事务所
- 代理商 宋铁军; 周楠
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L29/423 ; H01L29/10 ; H01L21/28 ; H01L21/331
摘要：
本发明涉及一种内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管，对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件，具有低寄生电容和低反向泄漏电流的优点。利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性；另外本发明还提出了一种内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管单元及其阵列的具体制造方法。该晶体管显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性，适用于推广应用。
公开/授权文献
- CN104465736A 内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法 公开/授权日：2015-03-25
IPC分类:
