提供一种半导体装置，其为沟槽栅型的半导体装置，能够低价制造且反馈电容被减小。半导体装置具备：层叠有第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域以及第四半导体区域的半导体基板；绝缘膜，其配置在从第四半导体区域上表面延伸并贯通第四半导体区域和第三半导体区域而到达第二半导体区域的槽的内壁上；控制电极，其在槽的侧面与第三半导体区域的侧面对置配置在绝缘膜上；第一主电极，其与第一半导体区域电连接；第二主电极，其与第三半导体区域和第四半导体区域电连接；底面电极，其与第二主电极电连接，在俯视观察时，槽的延伸方向的长度在槽的宽度以上，而且，槽的宽度比相邻的槽之间的间隔宽。