发明公开
CN104485467A 一种基于PBI的聚硅氧烷膦酸高温质子交换膜及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种基于PBI的聚硅氧烷膦酸高温质子交换膜及其制备方法
- 专利标题(英): PBI-based polysiloxane and phosphonic acid high-temperature proton exchange film and preparation method thereof
-
申请号: CN201410782297.1申请日: 2014-12-16
-
公开(公告)号: CN104485467A公开(公告)日: 2015-04-01
- 发明人: 沈春晖 , 李慧琳 , 李伟 , 尹珊珊
- 申请人: 武汉理工大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 唐万荣
- 主分类号: H01M8/02
- IPC分类号: H01M8/02 ; H01M8/10
摘要:
本发明属于燃料电池技术领域,涉及一种基于PBI的聚硅氧烷膦酸高温质子交换膜及其制备方法。本发明所述基于PBI的聚硅氧烷膦酸高温质子交换膜,通过如下方法制备得到:首先将聚硅氧烷、膦酸分散在二甲基乙酰胺中,制备得到聚硅氧烷膦酸凝胶;再将PBI溶解在二甲基乙酰胺中得到PBI聚合物溶液;然后将聚硅氧烷膦酸凝胶与PBI聚合物溶液混合均匀后,采用流延法成膜工艺制备得到基于PBI的聚硅氧烷膦酸高温质子交换膜。本发明制备的高温质子交换膜在达到一定质子传导率时膦酸的掺杂量少,膦酸不易渗出,在高温低湿度条件下具有较高的质子传导率,并且该中温质子交换膜柔韧性好、力学强度高,在高温燃料电池中的耐久性较好。
公开/授权文献
- CN104485467B 一种基于PBI的聚硅氧烷膦酸高温质子交换膜及其制备方法 公开/授权日:2017-05-17