- 专利标题: 用以改良控制的利用直流电辅助射频功率的半导体处理
- 专利标题(英): Semiconductor processing with dc assisted rf power for improved control
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申请号: CN201380041015.6申请日: 2013-07-25
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公开(公告)号: CN104508804A公开(公告)日: 2015-04-08
- 发明人: J-G·杨 , X·陈 , 朴书南 , 白宗薰 , S·加格 , S·文卡特拉马
- 申请人: 应用材料公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 黄嵩泉
- 优先权: 61/678,964 2012.08.02 US; 13/829,669 2013.03.14 US
- 国际申请: PCT/US2013/052039 2013.07.25
- 国际公布: WO2014/022192 EN 2014.02.06
- 进入国家日期: 2015-02-02
- 主分类号: H01L21/3065
- IPC分类号: H01L21/3065 ; H05H1/30
摘要:
所揭露的半导体处理系统包括处理腔室。该处理腔室包括上盖组件、栅电极、传导性插件,以及接地电极。每一部件耦接于一或多个电源,该等电源可运作以于该处理腔室内产生等离子体。每一部件经由置放数个绝缘构件而电气隔离。该一或多个电源利用切换机制而电气耦接于该处理腔室。开关可切换以使该一或多个电源电气耦接至该处理腔室的部件。
公开/授权文献
- CN104508804B 用以改良控制的利用直流电辅助射频功率的半导体处理 公开/授权日:2017-10-31
IPC分类: