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公开(公告)号：CN111837231B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201980017976.0
申请日：2019-02-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 爱德华四世·P·哈蒙德 , 白宗薰
Abstract: 本公开涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体壳层的方法和设备。改变跨在基板组件内的内部电极和外部电极的电压/电流分布促成等离子体跨基板的空间分布。所述方法包括：将第一射频功率提供到嵌入在基板支撑组件中的中心电极；将第二射频功率提供到嵌入在所述基板支撑组件中位于与所述中心电极不同的位置处的环形电极，其中所述环形电极周向地环绕所述中心电极；监测所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数；以及基于所监测的参数来调整所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者或两者。
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公开(公告)号：CN112955997A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980071231.2
申请日：2019-10-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中所述的实施例涉及用于工艺腔室中的射频(RF)相位控制的装置及技术。工艺容积通过面板电极及支撑底座界定在工艺腔室中。接地筒与工艺容积相对地围绕支撑底座设置在工艺腔室内。接地筒实质填充支撑底座下方除工艺容积以外的容积。相位调谐器电路耦接到设置在支撑底座中的RF网格、及面板电极。调谐器电路调整面板电极的相位与RF网格的相位之间的相位差。
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公开(公告)号：CN102177769A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980140428.3
申请日：2009-10-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供一种方法及设备，其具有在等离子体处理系统内连接基材支撑件至腔室壁的低阻抗射频回流路径。在一个实施例中，处理腔室包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由该腔室侧壁支撑的盖组件，基材支撑件，设置在该腔室主体的处理区域内，遮蔽框架，设置在该基材支撑组件的边缘上，以及射频回流路径，具有连接至该遮蔽框架的第一端及连接至该腔室侧壁的第二端。
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公开(公告)号：CN113056807B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980076034.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , D·帕德希 , D·R·本杰明拉吉 , K·恩斯洛 , 王文佼 , 尾方正树 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , G·E·奇可卡诺夫 , S·斯里瓦斯塔瓦 , 白宗薰 , Z·易卜拉希米 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T-J·龚
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例描述一种用于沉积膜层的设备和方法，该设备和方法可在一系列沉积和光刻工艺之后对覆盖误差具有最小的贡献。在一个示例中，一种方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；以及使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到处理腔室，根据基板的应力分布，该喷淋头具有面向基板支撑件的凸形表面或面向基板支撑件的凹形表面。通过将RF功率施加到该喷淋头的多个耦接点而在处理腔室中存在沉积气体混合物的情况下形成等离子体，该喷淋头的该等多个耦接点绕该喷淋头的中心点对称地布置。然后在基板上执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN109166782B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201811055730.6
申请日：2014-10-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/52 , C23C16/509 , C23C16/503
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于减少处理腔室中的颗粒产生的设备与方法。在一个实施例中，该方法总体上包括：在通电的顶部电极与接地的底部电极之间产生等离子体，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在膜沉积工艺期间对通电的顶部电极施加恒定为零的DC偏压电压，以最小化该通电的顶部电极与等离子体之间的电位差和/或该接地的底部电极与等离子体之间的电位差。最小化等离子体与电极之间的电位差减少颗粒产生，因为减小了这些电极的鞘区域中的离子的加速，且最小化离子与这些电极上的保护性涂覆层的碰撞力。因此，减少了基板表面上的颗粒产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105793955B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201480065285.5
申请日：2014-10-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于减少处理腔室中的颗粒产生的设备与方法。在一个实施例中，该方法总体上包括：在通电的顶部电极与接地的底部电极之间产生等离子体，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在膜沉积工艺期间对通电的顶部电极施加恒定为零的DC偏压电压，以最小化该通电的顶部电极与等离子体之间的电位差和/或该接地的底部电极与等离子体之间的电位差。最小化等离子体与电极之间的电位差减少颗粒产生，因为减小了这些电极的鞘区域中的离子的加速，且最小化离子与这些电极上的保护性涂覆层的碰撞力。因此，减少了基板表面上的颗粒产生。
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公开(公告)号：CN103014677A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210496884.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/244
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32935
Abstract: 本发明基本上涉及一种电容耦合的等离子体(CCP)处理腔、一种用于减小或防止杂散电容的方法和一种用于测量在所述处理腔内的等离子体状态的方法。由于CCP处理腔尺寸上的增大，杂散电容有会对工艺产生负面影响的趋势。此外，RF接地带可能断裂。通过增大腔背板和腔壁之间的间隔，可以将杂散电容最小化。此外，可以通过在背板而不是在匹配网络测量等离子体的状态来监控等离子体。在这样的测量中，可以分析等离子体的谐波数据以展示腔中的等离子体处理状态。
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公开(公告)号：CN102918180A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180021285.1
申请日：2011-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: B05B1/185 , C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , Y10T137/6851
Abstract: 本发明的实施例通常包括与喷头组件一起使用之屏蔽框组件，以及具有屏蔽框组件之喷头组件，屏蔽框组件包括绝缘体，该绝缘体紧密安装围绕于真空处理腔室中之喷头的外缘。于一实施例中，喷头组件包括气体分配板以及多片式框组件，多片式框组件界定气体分配板的外缘边缘。多片式框组件容许气体分配板膨胀，而不会产生可能导致电弧放电之间隙。在其它实施例中，绝缘体经定位而使集中于气体分配板外缘的电场位在绝缘体中，从而降低电弧放电的可能性。
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公开(公告)号：CN112955997B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201980071231.2
申请日：2019-10-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中所述的实施例涉及用于工艺腔室中的射频(RF)相位控制的装置及技术。工艺容积通过面板电极及支撑底座界定在工艺腔室中。接地筒与工艺容积相对地围绕支撑底座设置在工艺腔室内。接地筒实质填充支撑底座下方除工艺容积以外的容积。相位调谐器电路耦接到设置在支撑底座中的RF网格、及面板电极。调谐器电路调整面板电极的相位与RF网格的相位之间的相位差。
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公开(公告)号：CN113056807A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201980076034.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , D·帕德希 , D·R·本杰明拉吉 , K·恩斯洛 , 王文佼 , 尾方正树 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , G·E·奇可卡诺夫 , S·斯里瓦斯塔瓦 , 白宗薰 , Z·易卜拉希米 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T-J·龚
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例描述一种用于沉积膜层的设备和方法，该设备和方法可在一系列沉积和光刻工艺之后对覆盖误差具有最小的贡献。在一个示例中，一种方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；以及使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到处理腔室，根据基板的应力分布，该喷淋头具有面向基板支撑件的凸形表面或面向基板支撑件的凹形表面。通过将RF功率施加到该喷淋头的多个耦接点而在处理腔室中存在沉积气体混合物的情况下形成等离子体，该喷淋头的该等多个耦接点绕该喷淋头的中心点对称地布置。然后在基板上执行沉积工艺。
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