公开(公告)号：CN104508804B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201380041015.6

申请日：2013-07-25

申请人： 应用材料公司

发明人： J-G·杨 ,  X·陈 ,  朴书南 ,  白宗薰 ,  S·加格 ,  S·文卡特拉马

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/30

CPC分类号： H01J37/32091 ,  C23C16/50 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075

摘要： 所揭露的半导体处理系统包括处理腔室。该处理腔室包括上盖组件、栅电极、传导性插件，以及接地电极。每一部件耦接于一或多个电源，该等电源可运作以于该处理腔室内产生等离子体。每一部件经由置放数个绝缘构件而电气隔离。该一或多个电源利用切换机制而电气耦接于该处理腔室。开关可切换以使该一或多个电源电气耦接至该处理腔室的部件。

公开(公告)号：CN115485821A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180032187.1

申请日：2021-09-07

申请人： 应用材料公司

发明人： 崔振江 ,  王安川 ,  R·P·雷迪 ,  X·陈

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/311

摘要： 示例性的蚀刻方法可包括使含卤素前驱物流至半导体处理腔室的基板处理区域中。含卤素前驱物的特征可在于气体密度大于或约为5g/L。方法可包括用含卤素前驱物接触基板处理区域中容纳的基板。基板可界定含卤素材料的暴露区域。接触可产生卤化铝材料。方法可包括使蚀刻剂前驱物流至基板处理区域中。方法可包括用蚀刻剂前驱物接触卤化铝材料。方法可包括移除卤化铝材料。

公开(公告)号：CN107799379B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201711262383.X

申请日：2013-09-09

申请人： 应用材料公司

发明人： 梁奇伟 ,  X·陈 ,  祝基恩 ,  D·卢博米尔斯基 ,  朴书南 ,  J-G·杨 ,  S·文卡特拉马 ,  T·特兰 ,  K·欣克利 ,  S·加格

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  B05B1/00 ,  B05B1/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

摘要： 本发明涉及基板处理腔室和半导体处理系统。描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。

公开(公告)号：CN103329251A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180065903.2

申请日：2011-12-20

申请人： 应用材料公司

发明人： J-G·杨 ,  M·L·米勒 ,  X·陈 ,  祝基恩 ,  Q·梁 ,  S·文卡特拉马 ,  D·卢博米尔斯基

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H05H1/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45585 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/02274

摘要： 本发明所描述的基板处理系统具有定位于处理腔室内部的电容耦合式等离子体(CCP)单元。CCP单元可包括在第一电极与第二电极之间形成的等离子体激发区域。第一电极可包括多个第一开孔以准许第一气体进入等离子体激发区域，且第二电极可包括多个第二开孔以准许活性气体离开等离子体激发区域。系统可进一步包括气体入口及基座，气体入口用于供应第一气体至CCP单元的第一电极，基座可操作以支撑基板。基座定位在气体反应区域下方，活化气体从CCP单元前进进入气体反应区域。

公开(公告)号：CN111463125A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010304638.X

申请日：2013-08-30

申请人： 应用材料公司

发明人： N·K·英格尔 ,  A·王 ,  X·陈

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： 本发明描述了关于半导体处理腔室的系统及方法。示例性腔室可包括与腔室的第一出入口流体耦接的第一远端等离子体系统，及与腔室的第二出入口流体耦接的第二远端等离子体系统。系统亦可包括腔室中的气体分配组件，该气体分配组件可经配置以输送第一前驱物及第二前驱物两者进入腔室的处理区域内，同时保持第一前驱物及第二前驱物彼此流体隔离，直至该等前驱物经输送进入腔室的处理区域内为止。

公开(公告)号：CN110112053A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910130024.1

申请日：2014-03-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44

摘要： 本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN105103266A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480018007.4

申请日：2014-03-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/324 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/263 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6831

摘要： 提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN104508804A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380041015.6

申请日：2013-07-25

申请人： 应用材料公司

发明人： J-G·杨 ,  X·陈 ,  朴书南 ,  白宗薰 ,  S·加格 ,  S·文卡特拉马

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/30

CPC分类号： H01J37/32091 ,  C23C16/50 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075

摘要： 所揭露的半导体处理系统包括处理腔室。该处理腔室包括上盖组件、栅电极、传导性插件，以及接地电极。每一部件耦接于一或多个电源，该等电源可运作以于该处理腔室内产生等离子体。每一部件经由置放数个绝缘构件而电气隔离。该一或多个电源利用切换机制而电气耦接于该处理腔室。开关可切换以使该一或多个电源电气耦接至该处理腔室的部件。

公开(公告)号：CN103688345A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035181.0

申请日：2012-06-28

申请人： 应用材料公司

发明人： J·梁 ,  X·陈 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉马

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274

摘要： 描述一种形成介电层的方法。该方法首先通过自由基成分的化学气相沉积（CVD）沉积含硅氮与氢（聚硅氮烷）层。该含硅氮与氢层是通过将自由基前驱物（在远端等离子体中激发）与无激发的无碳的硅前驱物结合而形成。氧化硅覆盖层可由一部分的无碳的含硅氮与氢层形成，以避免底下的层在转换成氧化硅之前该层的性质随时间演变。或者，该氧化硅覆盖层形成于该含硅氮与氢层上。任一形成方法皆涉及在基材处理区域内形成本地等离子体。

公开(公告)号：CN103348456A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180066739.7

申请日：2011-12-20

申请人： 应用材料公司

发明人： D·李 ,  J·梁 ,  X·陈 ,  N·K·英格尔

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： C23C16/308 ,  C23C16/045 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56

摘要： 描述形成氧化硅层的方法。这些方法包括同时地结合等离子体激发的（自由基）蒸汽与未激发的硅前驱物。可经由等离子体激发路线（例如，藉由将氨添加到蒸汽）和/或藉由选择含氮的未激发的硅前驱物来供应氮。这些方法导致含硅-氧-与-氮的层沉积在基板上。含硅-氧-与-氮的层的氧含量接着被增加，以形成可几乎不含有或不含有氮的氧化硅层。可藉由在含氧气氛的存在下将层予以退火而造成氧含量的增加，并且可藉由在惰性环境中将温度提升到甚至更高来进一步增加膜的密度。