808nm平顶光场大功率激光器
摘要:
本发明公开了一种808nm平顶光场大功率激光器,涉及半导体激光器技术领域;包括衬底以及在衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下光场作用层、下波导层、量子阱层、上波导层、上光场作用层、上限制层和电极接触层,所述下光场作用层采用高掺杂的N型AlGaAs材料,上光场作用层采用高掺杂的P型AlGaAs材料。本发明快轴光场顶部分布均匀,能够进一步降低有源区光功率密度,提高激光器的可靠性和耐用性。
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