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公开(公告)号：CN102651536B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210168458.9
申请日：2012-05-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本发明包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的PN结和按规则生长在PN结上侧或/和下侧的超晶格层。本发明采用带有超晶格的特殊隧道结形成隧道级联半导体激光器，大大提高了半导体激光器的输出光功率，且优化后的隧道结使得半导体激光器中隧道结处的内阻及其压降变小；通过在半导体激光器内加入扩展波导，大大减小了光输出的远场发散角；本发明具有较高的经济效益，有利于高功率半导体激光器的小型化应用。
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公开(公告)号：CN105428403A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510919059.5
申请日：2015-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/737 , H01L29/0684
摘要： 本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层和N型磷化铟发射区层，能带渐变层为四层结构，能带渐变层一至三为N型In(1-x)GaxAsyP(1-y)材料，从集电区层向基区层，其各层之间的组分渐变，能带渐变层四为非掺的InGaxAs材料。本发明结构基区还具有更高的空穴浓度和更薄的厚度。本发明结构异质结界面处不存在导带尖峰，电子渡越时间更短，该结构制成的晶体管具有更高的频率性能。
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公开(公告)号：CN105428403B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201510919059.5
申请日：2015-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/06
摘要： 本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层和N型磷化铟发射区层，能带渐变层为四层结构，能带渐变层一至三为N型In(1‑x)GaxAsyP(1‑y)材料，从集电区层向基区层，其各层之间的组分渐变，能带渐变层四为非掺的InGaxAs材料。本发明结构基区还具有更高的空穴浓度和更薄的厚度。本发明结构异质结界面处不存在导带尖峰，电子渡越时间更短，该结构制成的晶体管具有更高的频率性能。
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公开(公告)号：CN105355545A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510917803.8
申请日：2015-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/208 , H01S5/323
CPC分类号： H01L21/208 , H01S5/323
摘要： 本发明涉及P型铟镓砷薄膜生长技术领域，具体公开了提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法，将掺杂碳的铟镓砷薄膜，在氮气环境下进行降温退火，退火温度从550±10℃均匀降到400±10℃，时间为5±1min，压力为50±5mbar。该方法能够减弱MOCVD反应室内氢钝化效应对掺杂碳原子的影响，能够破坏C-H化学键，使InGaAs薄膜中的碳原子得到充分激活，获得高P型掺杂浓度的InGaAs薄膜。该方法能够用于半导体器件结构的制备中。
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公开(公告)号：CN104600562B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201510055185.0
申请日：2015-02-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种808nm平顶光场大功率激光器，涉及半导体激光器技术领域；包括衬底以及在衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下光场作用层、下波导层、量子阱层、上波导层、上光场作用层、上限制层和电极接触层，所述下光场作用层采用高掺杂的N型AlGaAs材料，上光场作用层采用高掺杂的P型AlGaAs材料。本发明快轴光场顶部分布均匀，能够进一步降低有源区光功率密度，提高激光器的可靠性和耐用性。
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公开(公告)号：CN104466675B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201410770523.4
申请日：2014-12-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 本发明公开了一种窄发散角脊波导半导体激光器，包括衬底层、缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱区、上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层；在缓冲层和N型限制层之间还设有扩展波导层，扩展波导层为N型InGaAsP材料，扩展波导层的厚度为0.2μm‑0.5μm，下波导层的厚度为0.05μm‑0.15μm，上波导层的厚度为0.05μm‑0.15μm，扩展波导层到多量子阱区的距离为1μm‑2μm；P型限制层和电极接触层设置在腐蚀阻挡层的纵向中部，构成脊波导；采用小球透镜封装。本发明减小了垂直发散角，提高耦合效率，温度特性能满足要求，工艺过程简化，提高芯片成品率，成本低廉。
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公开(公告)号：CN104600562A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510055185.0
申请日：2015-02-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种808nm平顶光场大功率激光器，涉及半导体激光器技术领域；包括衬底以及在衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下光场作用层、下波导层、量子阱层、上波导层、上光场作用层、上限制层和电极接触层，所述下光场作用层采用高掺杂的N型AlGaAs材料，上光场作用层采用高掺杂的P型AlGaAs材料。本发明快轴光场顶部分布均匀，能够进一步降低有源区光功率密度，提高激光器的可靠性和耐用性。
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公开(公告)号：CN104466675A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410770523.4
申请日：2014-12-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 本发明公开了一种窄发散角脊波导半导体激光器，包括衬底层、缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱区、上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层；在缓冲层和N型限制层之间还设有扩展波导层，扩展波导层为N型InGaAsP材料，扩展波导层的厚度为0.2μm-0.5μm，下波导层的厚度为0.05μm-0.15μm，上波导层的厚度为0.05μm-0.15μm，扩展波导层到多量子阱区的距离为1μm-2μm；P型限制层和电极接触层设置在腐蚀阻挡层的纵向中部，构成脊波导；采用小球透镜封装。本发明减小了垂直发散角，提高耦合效率，温度特性能满足要求，工艺过程简化，提高芯片成品率，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102651536A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210168458.9
申请日：2012-05-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本发明包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的PN结和按规则生长在PN结上侧或/和下侧的超晶格层。本发明采用带有超晶格的特殊隧道结形成隧道级联半导体激光器，大大提高了半导体激光器的输出光功率，且优化后的隧道结使得半导体激光器中隧道结处的内阻及其压降变小；通过在半导体激光器内加入扩展波导，大大减小了光输出的远场发散角；本发明具有较高的经济效益，有利于高功率半导体激光器的小型化应用。
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公开(公告)号：CN205211759U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521028024.4
申请日：2015-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/06
摘要： 本实用新型涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层和N型磷化铟发射区层，能带渐变层为四层结构，能带渐变层一至三为N型In(1-x)GaxAsyP(1-y)材料，从集电区层向基区层，其各层之间的组分渐变，能带渐变层四为非掺的InGaxAs材料。本实用新型结构基区还具有更高的空穴浓度和更薄的厚度。本实用新型结构异质结界面处不存在导带尖峰，电子渡越时间更短，该结构制成的晶体管具有更高的频率性能。
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