一种薄膜生长的自校准实时测温装置
摘要:
本发明公开了一种薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准装置,属于半导体制造技术领域。该装置包括实际热辐射比值获取单元和校准系数计算单元,实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值;校准系数计算单元根据实际热辐射比值,在理论热辐射比值‑温度曲线上与实际热辐射比值对应的点,并将该点对应的温度T的值代入公式,分别得到校准系数m1和m2。该装置能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2,从而实现了薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准,能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
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