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公开(公告)号：CN103985653B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201310271765.4
申请日：2013-02-07
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶片应力测量方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括步骤1：测量沿X方向的各入射光束被晶片反射后的沿X方向的光斑偏移量，旋转样品托盘，使晶片旋转，测量各入射光束在晶片上沿Y方向扫描时，各入射点沿Y方向的光斑偏移量；步骤2：通过沿X方向的各入射光束的光斑偏移量，计算出晶片沿X方向的曲率半径，通过沿Y方向的各入射点的光斑偏移量，计算出晶片沿Y方向的曲率半径；步骤3：根据式1）计算出应力； 应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。
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公开(公告)号：CN104697638B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201310655576.7
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准方法，半导体制造技术领域。该方法包括根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值‑温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点，将点对应的温度T的值代入计算公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
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公开(公告)号：CN105698964A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410693553.X
申请日：2014-11-26
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01K11/32
摘要： 本发明公开了一种单透镜型晶片基底温度测量装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光束入射至晶片基底之前，将透镜设置于分光平片之后，而在形成第二种反射光束之后，将透镜设置于分光平片之前，这样，只需要应用一个透镜即可，无需选用两个透镜，或者，在选用激光器和探测器时，无需它们自身集成有透镜，使得检测晶片基底二维形貌的装置的成本降低。
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公开(公告)号：CN104697638A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310655576.7
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准方法，半导体制造技术领域。该方法包括根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值-温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点，将点对应的温度T的值代入计算公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
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公开(公告)号：CN103985652A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310049375.2
申请日：2013-02-07
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶片应力测量装置，属于半导体器件技术领域。包括探测光发生装置、分束镜、腔室、样品托盘和位置探测装置，样品托盘置于腔室底部，晶片置于样品托盘上，腔室顶部设有狭缝窗口，探测光发生装置发出的探测光经过分束镜后垂直射向晶片，依次经过分束镜和狭缝窗口后垂直射向晶片，被晶片反射，依次经过狭缝窗口和分束镜后射向位置探测装置，样品托盘能够带动晶片旋转，使探测光在晶片上扫描。本发明还公开了基于该测量装置的测量方法。应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。
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公开(公告)号：CN105698698B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201410693963.4
申请日：2014-11-26
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种单透镜型检测晶片基底二维形貌和温度的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光束入射至晶片基底之前，将透镜设置于分光平片之后，而在形成第二种反射光束之后，将透镜设置于分光平片之前，这样，只需要应用一个透镜即可，无需选用两个透镜，或者，在选用激光器和探测器时，无需它们自身集成有透镜，使得检测晶片基底二维形貌的装置的成本降低。
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公开(公告)号：CN105698697B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201410692622.5
申请日：2014-11-26
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置中，由多路出射光是由一个激光器经过多个分光面，通过给所述多个分光面赋予差异化的反射率和透射率，使得经过该多个分光面透射或者反射的多路出射光光强相同，即该多路光强相同的出射光不是由多个激光器发射得到的，而是仅仅由一个激光器经过该多路分光棱镜的反射、折射得到的，由此，在有限的布置空间内，可以选用体积稍大的激光器，当激光器体积增大后，其内部散热性能改善，并且，由于该激光器内增设了反馈电路，可以根据需要改变激光器的内部参数，因此，能够增强激光器的输出功率和波长的稳定性。
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公开(公告)号：CN104697666A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310655549.X
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01K13/00
摘要： 本发明公开了一种MOCVD反应腔测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的MOCVD反应腔的校准系数；测量实际热辐射功率，将校准系数和实际热辐射功率代入公式，计算得到MOCVD反应腔的温度。该方法由于双波长测温结构的MOCVD反应腔经过校准，计算得到的MOCVD反应腔的温度值更接近真值。
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公开(公告)号：CN104697639A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310655598.3
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01J5/00
摘要： 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准装置及方法，属于半导体制造技术领域。该装置包括MOCVD反应腔及光学探测器，MOCVD反应腔包括外延片，MOCVD反应腔的顶部设有探测窗口，光学探测器通过探测窗口向外延片发出波长分别为λ1和λ2的探测光束，光束外延片反射后形成的反射光束由光学探测部分探测。该方法根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值-温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点；将点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法及装置实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
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公开(公告)号：CN103985653A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310271765.4
申请日：2013-02-07
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
CPC分类号： H01L22/10 , G01B11/255 , G01L1/24
摘要： 本发明公开了一种晶片应力测量方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括步骤1：测量沿X方向的各入射光束被晶片反射后的沿X方向的光斑偏移量，旋转样品托盘，使晶片旋转，测量各入射光束在晶片上沿Y方向扫描时，各入射点沿Y方向的光斑偏移量；步骤2：通过沿X方向的各入射光束的光斑偏移量，计算出晶片沿X方向的曲率半径，通过沿Y方向的各入射点的光斑偏移量，计算出晶片沿Y方向的曲率半径；步骤3：根据式（1）计算出应力；应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。
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