发明授权
- 专利标题: 一种薄膜生长的自校准实时测温装置
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申请号: CN201310654540.7申请日: 2013-12-06
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公开(公告)号: CN104697636B公开(公告)日: 2018-05-01
- 发明人: 马铁中 , 严冬 , 王林梓 , 刘健鹏 , 焦宏达
- 申请人: 北京智朗芯光科技有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
- 专利权人: 北京智朗芯光科技有限公司
- 当前专利权人: 南昌昂坤半导体设备有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
- 代理机构: 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 刘杰
- 主分类号: G01J5/00
- IPC分类号: G01J5/00 ; G01J5/08
摘要:
本发明公开了一种薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准装置,属于半导体制造技术领域。该装置包括实际热辐射比值获取单元和校准系数计算单元,实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值;校准系数计算单元根据实际热辐射比值,在理论热辐射比值‑温度曲线上与实际热辐射比值对应的点,并将该点对应的温度T的值代入公式,分别得到校准系数m1和m2。该装置能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2,从而实现了薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准,能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
公开/授权文献
- CN104697636A 一种薄膜生长的自校准实时测温装置 公开/授权日:2015-06-10