发明授权
- 专利标题： 等离子体刻蚀系统
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申请号： CN201310718975.3申请日： 2013-12-23
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公开(公告)号： CN104733277B公开(公告)日： 2017-03-08
- 发明人: 杨平 , 梁洁
- 申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人： 中微半导体设备(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 王宝筠
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32
摘要：
一种等离子体刻蚀系统，包括，射频源、终点检测系统以及反应腔，所述终点检测系统包括光谱仪，所述光谱仪包括光栅，其中，所述射频源和所述光谱仪分别与所述反应腔连接，所述射频源和所述光谱仪并联连接；所述射频源由第一脉冲信号控制，所述光谱仪光栅的开关由第二脉冲信号控制，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号同步。通过本发明提供的等离子体刻蚀系统能够检测脉冲等离子体刻蚀工艺的终点。
公开/授权文献
- CN104733277A 等离子体刻蚀系统 公开/授权日：2015-06-24