发明授权
- 专利标题: 一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法
-
申请号: CN201510193603.2申请日: 2015-04-22
-
公开(公告)号: CN104795335B公开(公告)日: 2017-06-27
- 发明人: 古进 , 杨艳 , 杨辉 , 迟鸿燕 , 杨彦闻
- 申请人: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
- 申请人地址: 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号
- 专利权人: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
- 当前专利权人: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
- 当前专利权人地址: 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号
- 代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 谷庆红
- 主分类号: H01L21/50
- IPC分类号: H01L21/50
摘要:
本发明公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法,包括以下步骤:a、将若干个管芯采用台面成型机吹砂成型规定尺寸的圆片,b、将所述管芯分极处理后,采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯进行烧结形成芯片,c、将含有钨电极的电极引线焊接在所述芯片的两端,d、采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀,腐蚀两次,每次3分钟,然后用大量去离子水冲洗干净,e、在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆,在链式炉下高温成型,完成封装成型。本发明采用钨电极引线制造高压硅堆,提高了产品的抗浪涌电流能力,同时采用钨电极引线制造的高压硅堆可靠性明显提高。
公开/授权文献
- CN104795335A 一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法 公开/授权日:2015-07-22
IPC分类: