公开(公告)号：CN104795335A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510193603.2

申请日：2015-04-22

申请人： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

发明人： 古进 ,  杨艳 ,  杨辉 ,  迟鸿燕 ,  杨彦闻

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法,包括以下步骤：a、将若干个管芯采用台面成型机吹砂成型规定尺寸的圆片，b、将所述管芯分极处理后，采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯进行烧结形成芯片，c、将含有钨电极的电极引线焊接在所述芯片的两端，d、采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀，腐蚀两次，每次3分钟，然后用大量去离子水冲洗干净，e、在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆，在链式炉下高温成型，完成封装成型。本发明采用钨电极引线制造高压硅堆，提高了产品的抗浪涌电流能力，同时采用钨电极引线制造的高压硅堆可靠性明显提高。

公开(公告)号：CN104795335B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201510193603.2

申请日：2015-04-22

申请人： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

发明人： 古进 ,  杨艳 ,  杨辉 ,  迟鸿燕 ,  杨彦闻

IPC分类号： H01L21/50

摘要： 本发明公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法,包括以下步骤：a、将若干个管芯采用台面成型机吹砂成型规定尺寸的圆片，b、将所述管芯分极处理后，采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯进行烧结形成芯片，c、将含有钨电极的电极引线焊接在所述芯片的两端，d、采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀，腐蚀两次，每次3分钟，然后用大量去离子水冲洗干净，e、在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆，在链式炉下高温成型，完成封装成型。本发明采用钨电极引线制造高压硅堆，提高了产品的抗浪涌电流能力，同时采用钨电极引线制造的高压硅堆可靠性明显提高。

公开(公告)号：CN204538012U

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201520247306.7

申请日：2015-04-22

申请人： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

发明人： 古进 ,  杨艳 ,  杨辉 ,  迟鸿燕 ,  杨彦闻

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498

摘要： 本实用新型公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆，包括芯片和两个电极引线，两个所述电极引线对称的固定在所述芯片的两端，其中，所述芯片由多个管芯叠片烧结而成，所述电极引线包括引线和钨电极，所述引线和钨电极通过银铜焊片相互焊接连接，以及所述芯片的外表面还设有一玻璃层，所述玻璃层采用钝化玻璃粉制作而成。本实用新型带有钨电极的电极引线由于其化学性能稳定，在芯片台面腐蚀成型过程中基本不与混合酸反应，使芯片腐蚀过程可控，减少金属杂质离子的对台面的沾污，大大降低了产品的常温、高温反向漏电流，同时采用与钨电极匹配的钝化玻璃粉涂粉成玻璃层，提高了产品的抗温度循环能力。