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公开(公告)号：CN118604500A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410955767.3
申请日：2024-07-17
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 一种抗尖峰浪涌光电隔离器可靠性试验方法及其试验电路，属于光电器件测试技术领域。所述方法包括：（1）输入信号设计；（2）输入信号放大处理；（3）光电隔离器控制端和后端的整体老炼测试方法；（4）老炼状态显示方法。所述试验电路包括信号模块、信号放大模块、控制模块、输出模块、负载模块、显示模块、电源模块VCC、电源模块VDD。信号模块输出方波信号到信号放大模块，信号放大模块输出信号到控制模块，控制模块输出光信号到输出模块，输出模块输出负载信号到负载模块，显示模块与输出模块和负载模块连接。解决了现有技术中光电隔离器可靠性试验不能对光电隔离器进行一体化整体试验的问题。广泛应用于光电隔离器可靠性试验技术中。
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公开(公告)号：CN118522704A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410753865.9
申请日：2024-06-12
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/14 , H01L23/24 , H01L23/04 , H01L21/50 , H01L21/54 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种集成散热器封装的功率模块及其制造方法，包括散热器、陶瓷覆铜板、电极端子和半导体功率芯片；将若干个所述半导体功率芯片与散热器集成为一体结构，所述陶瓷覆铜板和电极端子设置在散热器上。本发明将散热器、陶瓷覆铜板、电极端子和半导体功率芯片烧结连接，将散热器和功率模块集成一体化，大大降低了功率模块和散热器间的热阻，提高了功率模块的散热能力，解决现有技术中功率模块与散热器间热阻较大，芯片结温高，热量难以及时散出的问题；区别于常规功率模块和散热器分别生产后组装的方法，去掉了导热硅脂涂覆工序，极大地提升了功率模块安装效率。
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公开(公告)号：CN109239570B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201811287649.0
申请日：2018-10-31
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供了一种二极管正向电流浪涌实验电路；包括电源电路、控制电路，所述控制电路包括两组控制分路，控制分路分别与电源电路连接。本发明在做正弦半波浪涌实验时可以同时对二极管施加反向半波电压和正向半波电流，模拟二极管在使用状态下发生浪涌。正弦半波浪涌频率可调，可以从40Hz到100Hz,测试二极管在不同的工作频率下发生浪涌情况。当使用50Hz做正弦半波浪涌时，其浪涌波形导通角大于175°。由于采用闭环控制，其浪涌电流控制达到1％。使用电容储存浪涌能量，消除浪涌实验对电网电压的拉低，避免了同一电网下用电设备相互干扰。
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公开(公告)号：CN113406427B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110833454.7
申请日：2021-07-23
摘要： 一种光电耦合器输出端恒功率老炼电路，涉及元器件老炼技术领域。包括：电源V1、电源V2、输入端恒流模块、待老炼光耦、输出端限流稳压差模块、输出端恒流控制模块、输出电流采样模块；输入端恒流模块的一端接V1正极，另一端接待老炼光耦输入单元正极端及输出端恒流控制模块正输出端，输出端限流稳压差模块的一端接V2正极，另一端接待老炼光耦输出单元的正极端，输出电流采样模块的一端接待老炼光耦输出单元的负极端，另一端接地；输出端恒流控制模块的输入端并联在输出电流采样模块的两端，输出端并联在待老炼光耦输入单元的的两端。解决了现有老炼电路老炼功率不稳定、质量不受控、成本高等问题，广泛应用于光电耦合器的老炼电路中。
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公开(公告)号：CN117741382A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311761429.8
申请日：2023-12-20
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种推挽式三极管阵列可靠性试验电路，包括开关电路、高温反偏电路、功率老练电路，所述开关电路包括开关管Q3，开关关Q3的栅极分别与二极管D11的负极、二极管D10的正极、电阻R2的一端、电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端二极管D10的负极并联接入PWM信号，二极管D11的正极、电阻R2的另一端与开关管Q3的源极均接地，开关管Q3的漏极分别与高温反偏电路、功率老练电路连接，高温反偏电路、功率老练电路连接的信号输入端之间还正向连接有二极管D6。使的对三极管的功率老练和电压反偏试验能够同时进行，激发电路的潜在缺陷，实现对器件内部节点、电介质、电通路的电气特性全面考核。
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公开(公告)号：CN117464765A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311488137.1
申请日：2023-11-09
摘要： 本发明提供了一种TO‑263塑封表贴件切筋后的装管装置，包括依次堆叠固定在冲切模具底板上的导料板、斜度调整板、支撑板；所述导料板顶部加工有导料槽，所述斜度调整板顶部加工有支撑斜面，所述支撑板顶部加工有限位槽，所述导料槽、支撑斜面、限位槽中心线在同一平面上，所述导料槽的中心线与冲切模具底板上的模具导料槽中心线在同一平面上。本发明通过设置了收集料管的限位槽和倾斜度调整板，使更换不同产品的模具均能够快速将收集料管定位，显著提高了该工序生产速度及过程质量控制等问题。
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公开(公告)号：CN117316880A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310634140.3
申请日：2023-05-31
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/498 , H01L23/04 , H01L23/18 , H01L25/065 , H01L21/48 , H01L21/50
摘要： 本发明提供的一种IGBT模块及其制作工艺；通过采用DBC设计、零件设计、线路布局和功率端子直接引出的方式，无需通过PCB引线，直接简化模块结构和生产工艺的同时提升了产品的可靠性和生产工序，本专利通过芯片并联均流仿真设计，降低模块每个并联支路流通量差异，避免了由于受每个并联支路流通量差异大影响而产生芯片损坏现象；在栅极并联的电阻，不但可以通过额外的键合线把并联的IGBT和二极管连接起来，这样可使得并联IGBT的开关行为更对称，可以防止高频率振荡。
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公开(公告)号：CN117038741A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311067281.8
申请日：2023-08-23
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/16
摘要： 本发明提供的一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法；包括从上至下依次堆叠的肖特基接触电极、元胞、欧姆接触电极，所述元胞为方形，元胞包括从上至下依次堆叠的第二外延层、第一外延层、碳化硅N+衬底，所述第一外延层的顶部平行设有若干第一离子注入区,第二外延层上设有若干第二离子注入区,每两个第二离子注入区周期性分布在第一离子注入区上方并与第一离子注入区接触。本发明解决了相似结构正向导通时导通电阻增大的问题，同时也保证了反向漏电也处于很低的水平。
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公开(公告)号：CN116860062A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311055184.7
申请日：2023-08-22
IPC分类号： G05F1/569
摘要： 一种可调线性稳压集成电路，属于半导体集成电路领域。包括开启偏置电路模块、放大补偿输出电路模块、温度保护模块、安全工作区保护电路模块、静电保护模块。启动偏置电路模块正端与电源端连接，负端与输出端连接；温度保护模块、安全工作区保护电路模块的负端与基准端连接，安全工作区保护电路模块的电压取样端通过输出电压可调取样网络与输出端连接；偏置电流输出端分别与各电路模块对应的偏置电流输入端连接；温度保护模块、电流保护电路模块的输出端与放大补偿输出电路模块相应的端口连接，放大补偿输出电路模块的基准电压输出端通过可调取样网络接地。解决了现有稳压电路体积大、结构复杂、元器件种类数量繁多的问题。广泛应用于复杂环境中。
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公开(公告)号：CN116540046A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202211609785.3
申请日：2022-12-12
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种恒流二极管阵列可靠性试验评估方法及其电路，属于半导体器件可靠性试验领域。包括：电路状态为断路/接触不良、正常、板上电路异常、短路等四种状态；电路组成为电源模块、异常指示模块、恒流二极管阵列老炼模块、正常指示模块、保护电路模块；电源模块为异常指示模块、恒流二极管阵列老炼模块、正常指示模块、保护电路模块提供所需电源；异常指示模块、恒流二极管阵列老炼模块、正常指示模块按顺序串联两端分别接电源模块的两端，保护电路模块与异常指示模块、正常指示模块相配合。解决了现有恒流二极管阵列可靠性试验电路不能对恒流二极管阵列产品质量进行有效判定的问题。泛应用于不同电流值下的恒流二极管阵列的可靠性筛选试验评估。
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